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采用密度泛函B3LYP/6-311++g(d,p)方法在不同外电场(-5.142 2×109~5.142 2×109V/m)作用下,研究了CO分子基态的总能量、键长、能级分布、能隙、红外光谱及势能曲线等的变化规律.结果表明:随外电场(C→O方向)的逐渐增大,CO分子键长、红外光谱的强度逐渐增大,分子能隙、振动频率逐渐减小,总能量增大,当F=1.0284×109V/m时,能量达到最大,为-3 084.385 68 eV,随后继续增大电场强度系统总能量开始降低;势能曲线对外电场方向有明显依赖关系,在负向外电场作用下,基态分子势能曲线升高,在正向外电场作用下,基态分子势能曲线降低. 相似文献
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利用群论及原子分子反应静力学的有关原理,推导了SiF分子基态的电子态和合理的离解极限,并利用Gaussian 03程序包,采用QCISD(T)和B3P86方法结合D95(3df,3pd),CC-PVTZ,6-311g**和6-311++g(3df,3pd)基组,对SiF分子的基态X^2Ⅱr平衡结构和谐振频率进行了优化计算。通过比较计算结果,发现B3P86方法为最优方法、D95(3df,3pd)为最佳基组。使用该方法和基组对SiF分子的基态进行了单点势能扫描计算,并采用正规方程组拟合Murrell-Sorbie函数,得到了SiF分子基态完整的解析势能函数,计算出了SiF分子的光谱常数ωe、ωeXe、Be和αe的值。 相似文献
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在有限深势阱模型下,求出了考虑到电子-声子相互作用情况下量子线电子基态能、概率分布和禁带宽度,以HgS/CdS量子线为例,研究了电子-声子相互作用对它们的影响.结果表明:电子-声子相互作用会降低电子基态能,在对基态能的影响中以电子与界面光学支声子相互作用的影响最大,而与界面声学支声子相互作用影响最小;电子-声子相互作用的影响和电子由势阱透入有限高势垒的概率以及禁带宽度均随量子导线半径R的减小而增大;电子-声子相互作用不改变禁带宽度随R的变化趋势,仅使其数值减小. 相似文献
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采用密度泛函(DFT)方法,运用LSDA对不同外电场(-10.2845×109~10.2845×109 V/m)中基态NaH
分子进行理论计算,得到了它的几何参数、电荷分布、电偶极矩、最高占据轨道能级、最低空轨道能级.采用杂化
CIS-DFT方法(CIS-LSDA),在同样的外电场作用下,计算了NaH 分子的激发能、波长和振子强度.结果表明,
NaH 分子结构强烈地依赖着外电场,且变化规律对电场方向呈现非对称性,外电场改变了NaH 分子激发态出现的
顺序和电子跃迁光谱强度. 相似文献
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在有限深势阱模型下,求出了考虑到电子-声子相互作用情况下量子线电子基态能、概率分布和禁带宽度,以HgS/CdS量子线为例,研究了电子-声子相互作用对它们的影响.结果表明:电子-声子相互作用会降低电子基态能,在对基态能的影响中以电子与界面光学支声子相互作用的影响最大,而与界面声学支声子相互作用影响最小;电子-声子相互作用的影响和电子由势阱透入有限高势垒的概率以及禁带宽度均随量子导线半径R的减小而增大;电子-声子相互作用不改变禁带宽度随R的变化趋势,仅使其数值减小.Abstract: Amodel of cylindrical quantum wires system with one core well,one shell barrier and finite deep potential well is founded.The body phonons,interface phonons,and their couplings with electron are investigated with the help of Green's function.The equations of electronic energy spectrum and wave function are obtained considering and neglecting the electron-interface interaction,and the correction of the electron ground level,electronic distribution and band gap to the well radius are giyen.Numerical calculations on a cylindrical HgS/CdS quantum wires system have been performed.The results show that the interaction of electron-interface phonons reduces the ground level and band gap.The smaller radius,the more reduced.Electron-interface optical phonons interaction plays the most influential,electron-interface acoustic phonon interaction impact ofthe minimum.The electron-interface phonon interaction does not change with changes in the law ofthe radius,just to changethe band gap variation in quantitative.The change increases with the decreases of well radius,which consistent with experimental. 相似文献
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H2和HCl分子基态的势能函数 总被引:1,自引:0,他引:1
运用电子相关耦合簇方法QCISD和基组6-311++G(3df,3pd)优化计算了H2,HCl分子基态的平衡间距、能量、离解能.对H2分子、HCl分子基态进行了单点能扫描计算,采用最小二乘法拟舍标准Murrell—Sorbie函数得到了相应的势能函数,以及相应的光谱常数、力常数,计算结果与实验数据吻合. 相似文献
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研究了如下带有临界非线性项的Schrdinger方程:-Δu=|u|~4u+k(x)|u|~(p-2)u x∈Ω其中ΩR~3是有界开集,p∈(2,4),k∈L~(6/6-p)(Ω)满足适当的局部性质.运用Nehari流形,得到了方程正基态解的存在性. 相似文献
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