外电场下GeO分子结构特性及激发性质的研究

用密度泛函理论,采用Hseh1pb/3-21g方法,优化在不同电场强度下获得GeO分子的稳定构型及结构参数,并对外电场作用下GeO分子的键长、总能量、电偶极矩、分子轨道、能隙和红外振动频率等进行分析.结果表明:在轴向(z方向)随外电场的增加,分子的键长增大,而分子总能量减小,偶极矩呈线性增加,LUMO轨道能量和HOMO轨道能量随着电场的增加而缓慢减少,能隙缓慢增加,其振幅变小,同时振动频率出现红移现象.另外,基于相同的基组采用TDDFT的方法研究了外电场对GeO分子的紫外可见吸收光谱、激发能和振子强度等的影响.结果表明:随着外电场的增加跃迁能量降低,产生的激发态波长增大,吸收峰出现红移,同时摩尔吸收系数减小.     

OH自由基分子的外电场特性研究

采用MPW1PW91/Aug-cc-pvqz方法及基组探索电场对OH自由基基态分子的总能量、键长、偶极矩、谐振频率、红外谱强度、电荷布居、HOMO和LUMO能级的影响.计算结果表明:MPW1PW91方法优化得到的核间距为Re=0.096 973nm,与实验值Re=0.096 96nm符合得非常好,只有0.001 3%的误差;振动频率为3 739.403cm~(-1),也与NIST数据库实验值3 737.76cm~(-1)一致;键长和红外谱强度随电场的增加先减小后增大;HOMO能和谐振频率分子总能量随电场的增加先增大后减小;偶极矩随电场增加线性地增加,LUMO能级随电场增加平缓地增加;E_g随外电场的增大先增大后减小.电场中OH自由基分子被激发至空轨道形成空穴时,该分子对电场强度具有选择性.     

密度泛函方法对外电场作用下NaH 分子结构和激发特性的研究

采用密度泛函(DFT)方法,运用LSDA对不同外电场(-10.2845×109~10.2845×109 V/m)中基态NaH 分子进行理论计算,得到了它的几何参数、电荷分布、电偶极矩、最高占据轨道能级、最低空轨道能级.采用杂化 CIS-DFT方法(CIS-LSDA),在同样的外电场作用下,计算了NaH 分子的激发能、波长和振子强度.结果表明, NaH 分子结构强烈地依赖着外电场,且变化规律对电场方向呈现非对称性,外电场改变了NaH 分子激发态出现的 顺序和电子跃迁光谱强度.     

BH分子基态的分析势能函数与光谱常数

利用原子分子反应静力学的有关原理,推导出了BH分子的合理离解极限;采用QCISD理论方法,在6-311G(3df,3pd),6-311G(3df,2pd),6-311++G(3df,2pd)和cc-PVQZ基组下,对BH分子基态的平衡几何、离解能和谐振频率进行了优化计算,并利用QClSD/6-311++G(3df.2pd)对BH分子的基态进行了单点能量扫描,并将扫描结果用正规方程组拟合Murrell-Sorbie势能函数.由拟舍得到的势能函数,计算与基态(X1∑+)相应的光谱常数(β,а,ω和ω,γ),其结果与实验符合得较好.     

H2和HCl分子基态的势能函数

运用电子相关耦合簇方法QCISD和基组6-311 G(3df,3pd)优化计算了H2,HCl分子基态的平衡间距、能量、离解能.对H2分子、HCl分子基态进行了单点能扫描计算,采用最小二乘法拟合标准Murrell-Sorbie函数得到了相应的势能函数,以及相应的光谱常数、力常数,计算结果与实验数据吻合.     

Au79Br和Au81Br基态X1Σ 光谱数据的同位素效应在势能行为上的表现

采用原子与分子反应静力学的群论原理、微观过程的可逆性原理和能量最低原理分析了同位素分子Au79Br 和Au81Br基态X1Σ 的对称性和离解极限;采用Herzberg的同位素理论分析了AuBr分子基态X1Σ 主要光谱数 据的同位素效应;分析探讨了光谱数据同位素效应对分子势能函数的影响.结果表明,正确的离解极限是确定同位 素参数的重要依据,AuBr分子基态X1Σ 光谱数据的同位素效应是较弱的效应,对势能函数ECM 势的二阶展开系 数有一定的表现,三阶展开系数大大小于同位素理论的预计,导致排斥势有较大偏差,长程势尤其是渐近行为的效 果与同位素理论的预计符合较好.     

H2和HCl分子基态的势能函数

运用电子相关耦合簇方法QCISD和基组6-311＋＋G（3df,3pd）优化计算了H2,HCl分子基态的平衡间距、能量、离解能．对H2分子、HCl分子基态进行了单点能扫描计算,采用最小二乘法拟舍标准Murrell—Sorbie函数得到了相应的势能函数,以及相应的光谱常数、力常数,计算结果与实验数据吻合．     

GaN势能函数与热力学性质

使用密度泛函理论B3LYP方法和6-311＋G＊基函数计算得到GaN分子的结构与势能函数,导出了分子的光谱数据。结果表明,GaN分子基态为X^3∑,基态的势能函数可用Murrell-Sorbie function来表达。计算固体E和S时,近似以气体分子的电子能和振动能代替固体分子的E,用电子熵和振动熵代替固体分子的S。     

GaN势能函数与热力学性质

使用密度泛函理论B3LYP方法和6-311+G*基函数计算得到GaN分子的结构与势能函数,导出了分子的光谱数据,结果表明,GaN分子基态为X3∑,基态的势能函数可用Murrell-Sorbie function来表达.计算固体E和S时,近似以气体分子的电子能和振动能代替固体分子的E,用电子熵和振动熵代替固体分子的S.     

NaH,NaD分子基态(X1∑+)的结构与势能函数

采用量子力学从头算方法,运用二次组态相互作用QCISD(T)/6-311++G(3df,3pd)对NaH,NaD分子基态进行理论计算,得到它们的几何结构、光谱性质,并拟合出Murrell-Sorbie和Murrell-Sorbie+C6势能函数.结果表明NaH,NaD分子基态的势能函数用Murrell-Sorbie函数表示较好.