首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到17条相似文献,搜索用时 187 毫秒
1.
氧化乐果降解菌假单胞菌L-3发酵条件优化的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为确定氧化乐果降解菌假单胞菌L-3最佳的生长条件和最优的碳氮比,在含一定浓度氧化乐果的液体普通培养基中,对菌株在不同温度、pH值、通气量、接种量条件下发酵培养,通过测定光密度值绘制生长曲线;在氧化乐果的基础发酵培养基中选出最适的碳源和氮源,优化出碳氮源的最佳配比.结果表明,L-3最佳生长条件为30℃、pH7.0、接种量3%(装液量100 mL);最佳的碳源、氮源分别为蔗糖和NH4NO3;最适的碳氮比为6:5.  相似文献   

2.
【目的】利用逐级驯化后的光合细菌(PSB)处理皂素生产废水,研究PSB对皂素生产废水的净化效果及影响因素,为皂素生产废水的后续处理奠定基础。【方法】以PSB A21为供试菌株,在对其进行逐级驯化后,探讨培养条件以及废水初始pH值、处理温度、菌液投加量和处理时间对PSB净化效果的影响,并对PSB处理皂素废水的最佳条件进行了正交优化。【结果】在PSB处理皂素生产废水的4个影响因素中,影响净化效果的大小顺序为接种量>温度>处理时间>初始pH。PSB处理皂素生产废水的最佳工艺条件为:起始pH值8.0,温度30℃,接种量250 mL/L,黑暗好氧条件下培养96 h。在此条件下,PSB对皂素生产废水的COD去除率达68.96%。【结论】驯化后的PSB处理高浓度废水的适应性强,用其处理后皂素生产废水的COD显著降低。  相似文献   

3.
就拮抗细菌C8-8的最适培养条件进行了研究。结果表明,在NA培养基上,拮抗细菌C8-8的最适培养温度为30~35℃,最适pH值范围为7.0~8.0;培养时间、初始接种量对菌株C8-8的生长有明显的影响,培养27 h后菌液OD值最高;最佳初始接种量应是培养液体积的0.5/300~1/300;不同通气量对菌株生长无明显影响。  相似文献   

4.
玉米黄酒发酵条件的优化   总被引:6,自引:0,他引:6  
以玉米碴为原料,分别选用UV-48黑曲霉和啤酒酵母为发酵菌种,通过对接种量、培养温度、pH值以及发酵周期的研究,确定以玉米为原料制作黄酒的最佳发酵条件为:最适接种量为糖化菌10%,酵母菌1%;最适发酵温度为15-18℃;最适pH值为4.5-5.5,最适发酵周期为16-19d。  相似文献   

5.
光合细菌制氢工艺参数对产热量的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了光合细菌制氢工艺参数时产热量的影响.结果表明,初始温度、接种量、光照度、PSB初期活性和pH值等制氢工艺参数对系统产热量均有明显影响,而且产生较高热量的光合细菌制氢工艺条件为初始温度30℃,光照度2 000~3 000 lx.接种量50%~100%,pH值7.0,PSB初期活性72 h.  相似文献   

6.
为了明确假单胞杆菌BS1的适宜培养条件,采用单因素筛选方案对其最适碳源、接种量、温度、pH值、盐浓度和培养基装液量进行研究,发现假单胞杆菌BS1生长的最佳碳源为液体石蜡,生长最适接种量为3%,温度30℃,pH 7.0,NaCl浓度0%,250 mL三角瓶中培养基装量为130 mL。在此优化的培养条件下,假单胞杆菌BS1生长曲线是0~48 h为菌体生长延滞期,48~156 h为菌体快速生长繁殖期,156~240 h为菌体生长稳定期,240 h后为菌体衰亡期。通过对假单胞杆菌BS1的最佳培养条件研究,将为工业化生产提供技术参数。  相似文献   

7.
银杏内生细菌JX-3生长条件优化   总被引:1,自引:1,他引:0  
为提高银杏内生细菌JX-3的生长速度,缩短培养时间,试验选取培养温度、pH、接种量和培养时间进行单因素试验,来确定菌株的最佳生长条件;再由单因素试验结果选择3个影响较大的因素进行正交试验,根据正交试验结果获得更优化的生长条件。结果表明,单因素优化试验得出菌株JX-3生长的最优条件为:温度35℃,pH值7.0,最佳接种量12%,培养时间4 h;正交试验得出的JX-3最佳生长条件为:时间5 h,pH值7.0,接种量8%。  相似文献   

8.
光合细菌的优化培养和生长动力学   总被引:8,自引:0,他引:8  
对光合细菌(PSB)培养的最适温度、光照、pH、溶解氧等条件进行了较系统的研究.通过正交试验,得出PSB生长的最适条件为光照度3000lx、微好氧、30℃、pH7.0.在此基础上,建立了PSB在模拟味精废水条件下以乙酸钠为底物的生长动力学模型,其参数为:饱和常数Ks=0.20-0.24g·L-1,最大比生长速率μmax=0.038-0.044h-1,试验表明该模型能够较好地描述PSB的生长情况.  相似文献   

9.
采用单因素试验分别探讨温度、pH值、接种量、碳源、氮源、无机盐对鱼类水霉病原真菌拮抗菌菌株生长的影响,并在单因素试验结果的基础上,利用正交试验设计对培养基组分进行优化。结果显示,JL04最适培养温度为32℃,最适培养pH值为5,接种量对菌体生长的影响不显著。由正交试验结果得出最佳发酵培养基为胰蛋白胨6 g/L、葡萄糖6 g/L、酵母提取物3.5 g/L、硝酸铵3.5 g/L、硫酸镁2 g/L、氯化钙3 g/L、硫酸锰1 g/L,最佳培养时间为18 h。在此优化条件下,该菌株发酵培养达到对数生长末期的时间缩短了2 h,能较快进入菌体密度最大的时期,为该菌株的高密度生产提供了一定依据。  相似文献   

10.
对光合细菌(PSB)培养的最适温度、光照、pH等条件及培养基优化进行了系统研究。结果表明,PSB生长的最适条件为:温度30℃,光照强度5 000 lx,pH 8.0。同时提出从菌种质量标准、环境控制、生产过程质量监控以及产品质量标准等方面建立光合细菌中试生产过程中的质量管理体系。  相似文献   

11.
采用光合细菌中的紫色非硫菌为材料,通过单因素试验和正交试验研究了pH、温度、光照、氧气以及接种量对其生长繁殖的影响.结果表明,pH、光照、氧水平、接种量对紫色非硫光合细菌生长的影响达到了极显著水平.PH为7.0,日夜交替光照、微氧条件,接种量为20%是紫色非硫光合细菌培养的最佳条件,这为快速培养高活性的光合细菌奠定了理论基础.  相似文献   

12.
光合产氢菌群生长特性的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
[目的]研究光合制氢过程中光合产氢菌群生长繁殖与环境条件,为大规模培养条件的优化提供依据。[方法]研究光合产氢菌群在不同温度、接种量、光照强度、pH值等培养条件下生长状况。[结果]光合产氢菌群比较适宜的生长条件为:温度30℃,光照强度大于1 000 lx,pH值7左右,接种量10%。[结论]光照强度、温度和pH值对光合产氢菌群生长的影响较大,接种量对光合产氢菌群生长的影响较小。恒光照是保证光合产氢菌群生长的重要条件。  相似文献   

13.
粘质沙雷氏菌发酵工艺参数研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了发酵温度、培养基pH、接种量及溶解氧等对粘质沙雷氏菌生长的影响,得出粘质沙雷氏菌的优化培养条件为温度30℃左右,pH 7.0~7.5,接种量1:10,通过振荡或通气的方法保证培养基中含一定的溶解氧有利于细菌的生长。用发酵罐测定了粘质沙雷氏菌的生长曲线,在上述优化培养条件下粘质沙雷氏菌约4 h后进入对数生长期,18 h达到稳定期,最终菌液浓度达16.00亿/mL。  相似文献   

14.
测试引起水葫芦黑斑病的生防真菌水葫芦链格孢(Alternaria tenuissima)的主要生物学特性(培养基、温度、pH值对菌落生长以及光照对产孢量的影响)和影响该菌株侵染力的3个主要因子(接种温度、光照、保湿时间),以期为该菌的大量发酵和真菌除草剂的研制奠定基础.试验结果表明,培养基、温度和酸碱度是影响该菌生长的...  相似文献   

15.
接种高温细菌复合菌剂对鸡粪堆肥的影响研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了研究接种高温复合菌剂对鸡粪堆肥处理的影响,本实验采用高温好氧堆肥技术,设计了对照(不接菌)和接菌(按8%接种高温细菌)2种处理,探讨了发酵过程中堆肥温度、水分、pH值、NH4+-N含量和有机质含量变化。结果表明:与对照相比,接菌处理堆肥升温快,最高达69℃;水分蒸发快;有机物料分解速度快,有机质分解率比对照高3%;pH值降低0·2以上;种子发芽指数于第17d上升至80·1%,堆肥接种处理比对照提前5d达到腐熟;发酵过程中减少了臭气产生和氨的挥发,接菌处理堆肥NH4+-N含量比对照增加12·1%。  相似文献   

16.
通过试验筛选出细菌培养基为水产下脚料发酵用菌的混合培养基。以培养液的OD值为指标,考察培养液初始pH、接种量、培养温度、转速4个因素对菌种混合培养的影响,在单因素实验基础上,设计四因素三水平的正交实验L9(4^3)确定菌种混合培养的最佳条件为接种量按0.2%,初始培养液的pH7,培养温度30℃,转速210r/min。  相似文献   

17.
为提高海旋菌Thalassospira sp.Fjfst-332产κ-卡拉胶酶的能力,采用单因素试验法和响应面分析法对其发酵条件进行优化.在基础产酶培养基的条件下,考察发酵培养基的初始p H、装液量、接种量、温度和转速对κ-卡拉胶酶合成的影响,再选取温度、p H和接种量3个因素进行响应面优化.结果表明,κ-卡拉胶酶在培养基初始p H 7、接种量3 m L、装液量30 m L、转速150 r·min-1、温度25℃的条件下,其酶活力最佳,为106 U·m L~(-1).  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号