多路地震波无线检测系统

采用增量调制、移频键控、频分复用等技术实现地震波信号的采集、传输和数据处理。其电路结构简单，工作可靠，信噪比高，抗干扰能力强，测量精确。     

论玩笑话语的表达方式

玩笑的恰当使用有助于缩短人与人之间的心理距离,形成一种轻松活泼的氛围。玩笑属间接言语,主要表达方式有反语、夸张、双关语、暗喻等。反语是用与本意相反的词语或句子来表达本意;夸张是有意识的言过其实从而造成谐趣;双关则主要通过语义或语音上的双重性使人在心理上形成悬念并发生突转,达到幽默的效果;暗喻则是含蓄地将一事物同另一事物相比较,需要受话人自己去领会。在开玩笑时运用暗喻可以巧妙地将不协调的事物或概念联结在一起从而带来乖讹的喜剧感受。适当运用各类玩笑表达方式能充分发挥玩笑的交际功能。     

荫生花卉工厂化水培技术

水培花卉是近几年国内时兴的室内观赏植物。由于其不用基质栽培，即可观叶观花，又可观根，清洁卫生，观赏性强，因此深得人们的喜爱。但很多经营者只是对土培植物进行简单的洗净移植，或采用单盆静置水培的方式水培花卉，技术水平很低。第一种方式由于根系不适应水生环境，常导致生长不良或发病死亡：第二种方式虽可诱导产生水培花卉，但要经常更换营养液，耗费大量的人工及肥料，生产成本高。我们通过采用营养液循环系统水培荫生花卉，对工厂化水培花卉技术进行系统研究，制定水培花卉标准栽培模式，为水培花卉产品的标准化生产提供科学依据。     

考虑主轴扭转变形的轴系振动模型

针对大型水力发电机组传统上忽略轴系扭转变形的假设可能导致轴系振动分析出现较大偏差的问题,采用Lagrange方法建立轴系振动方程和含轴系扭转效应的转子运动方程,通过定义广义动量,将这2个方程构建为统一形式的一阶微分方程组.以发电机转子上的阻力矩和水轮机转轮上的动力矩为纽带,构建包括水力系统、发电机、励磁、调速系统在内的完整水力机组模拟运行系统,并采用二阶Runge-Kutta法进行仿真计算.计算结果表明,在机组故障扰动条件下,计入轴系的弹性对轴系横向振动的影响不大,主轴扭转刚度对稳定工况下轴的扭转变形影响较大;故障扰动下,发电机转子和水轮机转轮之间的扭转角变化趋势与有功变化趋势基本一致.仿真表明,所建立的轴系扭振模型能反映轴系振动的基本特征,模型是合理的.     

基于SOA的水轮机调速系统PID参数优化

针对现有优化方法复杂、易陷入局部最优等问题,为水轮机调速系统提出了一种基于人群搜索算法的比例-积分-微分控制参数优化方法.为验证该算法的可行性,建立了水轮机调速系统非线性模型,选取水轮发电机组转速偏差的积分时间绝对误差指标作为目标函数进行优化.为验证优化结果的有效性,将人群搜索算法的控制效果与参考文献中粒子群算法的控制效果进行了对比分析.仿真结果表明,在5%频率扰动下,人群搜索算法自第29次迭代起已收敛,经其优化的系统能在8秒内趋于稳定,此时系统的超调量为1.6%;在10%负荷扰动下,人群搜索算法自第25次迭代起已收敛,其优化效果与粒子群算法优化效果基本相同,两者均在10秒内让系统趋于稳定,但人群搜索算法优化的积分时间绝对误差指标比粒子群算法优化的积分时间绝对误差指标小,表明人群搜索算法具有更好的搜索功能,在一定程度上改善了孤网运行条件下机组的动态性能.     

非晶硅磷掺杂效率分析的新方法

介绍一种分析ａ－Ｓｉ掺杂效率的新方法。该法能够很好地解决ａ－Ｓｉ全掺杂范围内掺杂浓度和掺杂效率的计算问题，简便易行，为ａ－Ｓｉ掺杂性能研究和器件设计制造提供可靠的掺杂浓度和掺杂效率值。     

1.8 GHz宽带低相位噪声CMOS压控振荡器设计

采用一种基于开关电容阵列(SCA)和尾电流源处加入电感电容滤波相结合的电路结构,设计了一个1.8 GHz宽带分段线性压控振荡器.采用TSMC 0.18μm 1P6MCMOS RF工艺,利用Cadence SpectreRF完成对电路进行的仿真.结果显示,在电源电压VDD=1.8 V时,控制电压范围为0.6~1.8 V,频率的变化范围为1.43~2.13 GHz,达到39%,相位噪声为-131 dBc/Hz@1MHz,功耗为9.36 mW(1.8 V×5.2 mA).很好地解决了相位噪声与调谐范围之间的矛盾.     

葡萄主要生理病害及其综合防治措施

<正>近年来,我国鲜食葡萄发生生理病害较为普遍,不少果农喷布杀菌剂防治,不仅没有防效,还增加了成本,影响了葡萄产量和品质。现将山东省鲜食葡萄品种容易发生的生理病害症状及防治措施总结如下。     

快速退火炉离子注入退火工艺设计

研究了快速热处理系统中卤钨灯阵列的排列方式和硅片接受到的辐照度均匀性的关系,设计了一种可以满足硅片温度均匀性要求的轴对称排列的灯阵列形式.卤钨灯分布在三个半径分别为5,10,16.8 cm的同心圆上,线密度分别为0.127,0.191,0.341cm-1,加热头高度为10.2 cm.此时辐照度的标准差有最小值,保证了硅片边缘和硅片中心能够得到尽可能一致的辐照.接着进行了P离子注入快速热退火试验,测量比较了退火后样品的方块电阻值,获得了快速热退火的最佳温度时间关系参数.对于剂量7.0×1015cm-2,能量60 keV的P离子注入,快速热退火的最佳温度为1000°C,稳定10 s.