多路地震波无线检测系统

采用增量调制、移频键控、频分复用等技术实现地震波信号的采集、传输和数据处理。其电路结构简单，工作可靠，信噪比高，抗干扰能力强，测量精确。     

多功能电话电路设计

设计了一种多功能电话电路，能够防止他人非法串线盗打和窃听电话，通过单片机控制自动存储并显示电话号码和所打电话的时刻及用时，且可通过打印机接口打印以上信息。     

计算机软件的硬加密卡

提出了软件的一种智能硬加密方法．利用8位单片机、PCI总线结构设计了一种直接插在计算机总线上的硬件加密卡．加密程序设为中断程序，以陷阱中断的方式启动该中断程序．采用随机数实时核对加密方法，加密卡中随机数生成电路经A／D转换后、通过外部中断方式存入片内RAM中，成为被加密数．因该数是随机产生的，所以解密很困难．单片机与PC机间数据传输的端口地址译码采用GAL16V8完成，既具有保密性，又减少成本，节省了系统地址资源．     

氢化碳膜的胺掺杂及其对甲酸蒸气的质量传感特性

通过将其他元素或原子基团掺入氢化非晶碳膜网结构中的方法，可以实现对α－Ｃ：Ｈ薄膜的改性，赋予α－Ｃ：Ｈ膜新的特性，从而满足某些特殊应用的需要，用含胺基的碳氢化合物正丁胺作为碳源，用等离子体增强化学气相沉积方法制备α－Ｃ：Ｈ膜．薄膜的红外光分析表明胺基团已掺入薄膜的网络结构中，喇曼光谱分析表明薄膜具有无序态碳、三配位碳和四配位碳原子的混合结构，但主要成份为无序态碳，将掺胺的α－Ｃ：Ｈ薄膜作为质量传     

1.8 GHz宽带低相位噪声CMOS压控振荡器设计

采用一种基于开关电容阵列(SCA)和尾电流源处加入电感电容滤波相结合的电路结构,设计了一个1.8 GHz宽带分段线性压控振荡器.采用TSMC 0.18μm 1P6MCMOS RF工艺,利用Cadence SpectreRF完成对电路进行的仿真.结果显示,在电源电压VDD=1.8 V时,控制电压范围为0.6~1.8 V,频率的变化范围为1.43~2.13 GHz,达到39%,相位噪声为-131 dBc/Hz@1MHz,功耗为9.36 mW(1.8 V×5.2 mA).很好地解决了相位噪声与调谐范围之间的矛盾.     

盐浴炉的温度控制系统

设计了一套单片机控制的盐浴炉温度控制系统．利用S型铂铑—铑热电偶检测温度，热电偶进行冷端补偿，热电偶检测的信号通过放大、采样保持、模数转换再送单片机保存，采用分段查表法获取各点温度．选用可控硅过零触发自动控制盐浴炉温度，控制周期为100个三相交流市电周期，即2s．由单片机控制可按预设温度曲线进行加热，并可实时显示加温曲线．     

红外测温原理及误差分析

从黑体辐射原理出发分析了红外测温的工作原理，推导了它的数学模型，描述了物体的辐射功率与波长、温度之间的关系，即红外测温必须根据实际测温范围，选择不同的工作波长．通过具体应用电路的实验数据，从环境、反射率、距离系数等几个方面，探讨和分析了测量精度的原因，得出了环境温度与被测目标温度之间的相互关系，验证了环境温度是红外测温产生误差的主要因素，并为消除测量误差提出了改进方法．     

三阶电荷泵锁相环的改进型事件驱动模型

在分析电荷泵锁相环结构和原理的基础上,采用符号函数sign()来描述状态变化,建立一个输入参考频率为50 MHz,输出频率为900 MHz的三阶电荷泵锁相环的事件驱动模型,通过设定模型中的参数,应用Matlab对模型进行仿真.结果表明:当输入频率为50 MHz时,此三阶电荷泵锁相环完全能够锁定,并且在锁定时,输出频率为900 MHz,达到设计目的,并且该事件驱动模型大大提高了效率.     

一种自积分Rogowski线圈波形畸变校正方法

提出了一种校正自积分式Rogowski线圈波形畸变方法,该方法通过构建校正电路对Rogowski线圈忽略的电阻压降项进行补偿来实现,实验结果证实了该电路能够很好地校正波形的畸变。分析了校正后Rogowski线圈的幅频特性,结果表明：Rogowski线圈经所设计的校正电路后,上限频率保持不变,而下限频率延伸到零。     

低功耗高电源抑制比CMOS带隙基准源设计

基于Ahujia基准电压发生器设计了低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压发生器电路.其设计特点是采用了共源共栅电流镜,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路;其次是采用了带隙温度补偿技术.使用CSMC标准0.6μm双层多晶硅n-well CMOS工艺混频信号模型,利用Cadence的Spectre工具对其仿真,结果显示,当温度和电源电压变化范围为-50-150℃和4.5-5.5 V时,输出基准电压变化小于1.6 mV(6.2×10-6/℃)和0.13 mV;低频电源抑制比达到75 dB.电路在5 V电源电压下工作电流小于10 μA.该电路适用于对功耗要求低、稳定度要求高的集成温度传感器电路中.