衬底温度对合成金刚石薄膜的影响

本文利用热丝化学气相沉积方法对不同温度下生长的金刚石薄膜样品进行了表征分析。通过扫描电镜照片分析,从成核理论方面得出了金刚石薄膜生长的最优化温度。     

化学气相沉积金刚石薄膜的表面过程

采用简单表面反应模式，对化学气相沉积金刚石薄膜的表面动力学过程进行了研究，得到了金刚石薄膜的沉积速率公式，揭示了影响薄膜生长的因素并由此讨论了金刚石薄膜生长的机制和规律。     

不同重力取向对金刚石薄膜生长的影响

本文采用热丝ＣＶＤ方法在不同方向的Ｓｉ衬底上生长金刚石薄膜。研究了金刚石薄膜的生长特性以及不同重力取向对金刚石薄膜成核密度、生长速度和晶体品质的影响。通过激光喇曼光谱、原子力显微镜（ＡＦＭ）、扫描电镜（ＳＥＭ）等测试得出：不同重力取向生长的金刚石薄膜成核密度和生长速度表现出明显的差别。     

溶胶-凝胶法在金刚石表面涂覆纳米TiO2薄膜

通过溶胶-凝胶法制备二氧化钛溶胶，采用浸渍的方法在工业金刚石表面涂覆TiO2薄膜，扫描电镜和能谱分析结果表明，该方法可以在金刚石表面涂覆TiO2薄膜，薄膜将金刚石磨料包裹完全，红外光谱分析显示TiO2与基体金刚石表面形成稳定的Ti-O-C化学键．综合热分析对金刚石抗氧化性能检测结果为：涂膜金刚石较未涂膜金刚石抗氧化温度提高100℃。     

栅极偏压对纳米金刚石薄膜沉积过程的影响

在HFCVD系统中施加栅极偏压和衬底偏压,采用双偏压成核和栅极偏压生长的方法成功制备了高质量的纳米金刚石薄膜.采用显微Raman高分辨率SEM和AFM等现代理化分析手段分析纳米金刚石膜的微结构,结果表明双偏压显著促进了金刚石的成核密度,平均晶粒尺寸在20 nm以内.试验观察和理论分析表明栅极偏压促进了热丝附近的等离子体浓度,提高了衬底附近的碳氢基团和氢原子浓度,提高了金刚石的成核密度、在保持晶粒的纳米尺寸的同时保持了较高的成膜质量和较低的生长缺陷.     

汽相生长金刚石微粒及金刚石薄膜分析

用化学汽相沉积法已长出金刚石微粒及金刚石薄膜,并对它进行了扫描电镜观查,X-射线衍射分析,喇曼光谱分析,硬度测试,证明它确是金刚石并具有金刚石的性能.     

PO薄膜和EVA薄膜对温室内光温环境及番茄生长发育的影响

通过对PO和EVA薄膜温室连续8个月的光照环境的测量,分析比较了两种薄膜的透光率和温室温度变化,并测定了两种温室相同位置番茄的株高、茎粗及产量,比较其生长发育状况。结果表明:PO薄膜比EVA薄膜具有更好的透光性和增温、保温效果,能显著促进番茄生长和提高产量。     

两种血液相容性生物无机材料的研究进展

对两种血液相容性无机生物材料的最新研究进展进行了综述.着重介绍了类金刚石薄膜（Diamondlike carbon,DLC）、氧化钛薄膜医用抗凝血材料近年来的研究进展,并对血液相容性研究中存在的问题进行了分析.     

两种血液相容性生物无机材料的研究进展

对两种血液相容性无机生物材料的最新研究进展进行了综述.着重介绍了类金刚石薄膜(Diamondlike carbon,DLC)、氧化钛薄膜医用抗凝血材料近年来的研究进展,并对血液相容性研究中存在的问题进行了分析.     

硫化温度和时间对SnxSy薄膜结构和成分的影响

用热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层sn薄膜,在真空条件下,将其在150～300℃下硫化30．60min．对在不同温度和时间下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,结果表明：在不同温度和不同时间下硫化,所得到的薄膜在物相结构、成分和表面形貌上都存在差异．当硫化温度为240℃、硫化时间为45min时,所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜,其均匀性、致密性以及对基片的附着力都较好,具有（111）方向优先生长,薄膜粒径在200～800nm,且晶格常数与标样的数值吻合很好．     

微弧氧化制备氮掺杂纳米晶TiO2薄膜

以十水合四硼酸钠、氢氧化钠、六次甲基四胺为电解液,采用双脉冲微弧氧化方法在钛基底直接制备纳米晶TiO2薄膜.钛基底微弧氧化所生长的TiO2薄膜表面由直径10～60 nm的小颗粒堆积成多孔菜花状.脉冲频率对薄膜的组分、孔隙率和表面粗糙度都有较大的影响,而生长时间则通过小颗粒堆积影响薄膜的表面粗糙度.高频条件下薄膜中锐钛矿相含量比低频时稍高,单次脉冲期间反应生成物的温度是控制锐钛矿相与金红石相比例的主要因素.     

离子束增强沉积掺杂氧化钒薄膜的最佳退火条件

用离子束增强沉积方法制备掺杂Ar和W的VO2多晶薄膜,明显改变了VO2薄膜的相变温度.试验发现,薄膜存在一个形成VO2结构的临界结晶温度,该温度随薄膜制备时沉积条件的不同而改变.选择适当的杂质和退火条件可以将VO2薄膜的相变温度降低到室温附近,获得较高室温电阻-温度系数的薄膜.     

TiO2 薄膜折射率的调控方法

采用电子束蒸发技术及其辅助工艺制备了TiO 2 薄膜,利用X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）和原子力显微镜（AFM）对薄膜的组织结构进行了表征,采用紫外可见分光光度计研究了TiO 2 薄膜的折射率变化.结果表明：传统电子束蒸发镀制的TiO 2 薄膜的折射率低于块体值,通过调节氧气压、沉积速率和衬底温度可在1.97～2.22范围内调控其折射率;采用离子束辅助轰击可使薄膜致密化,获得折射率在2.06～2.42范围内变化的TiO 2 薄膜;利用斜角入射沉积可控制薄膜生长角度与孔隙率,实现折射率在 1.71 ～2.18范围内的调控.     

CoFeB超薄膜中增强的饱和磁化强度

研究了分别生长在Si基片和反铁磁FeMn薄膜上的CoFeB超薄膜在室温的磁特性.发现生长在反铁磁FeMn薄膜上的CoFeB超薄膜的饱和磁化强度比直接生长在Si基片的CoFeB超薄膜的值大,并且发现随着CoFeB超薄膜厚度的增加,两者的差值减小.这样一种增大的饱和磁化强度应该与反铁磁FeMn层对CoFeB超薄膜的钉扎有关.     

陶瓷表面金属化Cu薄膜应力调控

利用直流磁控溅射方法在AlN陶瓷表面沉积了单层Cu薄膜，采用X射线衍射方法研究了沉积温度对薄膜应力的影响，并用有限元方法模拟不同温度下沉积的Cu薄膜中的热应力及变形分布情况.沉积的薄膜应力表现为张应力，并随沉积温度的升高先增大后减小，沉积温度为200 ℃左右时，薄膜应力达到最大值；在AlN表面引入过渡界面可明显地减小薄膜应力，并根据微观结构和物理性质的变化等对薄膜应力的变化进行了解释.     

磁控反应溅射直接生长绒面H化Ga掺杂ZnO-TCO薄膜及其特性研究

采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上直接生长出了具有绒面结构的H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜。研究了H2流量对薄膜结构、表面形貌及光电特性的影响。实验表明,在溅射过程中引入H2明显改善HGZO薄膜电学性能,并且能够直接获得具有绒面结构的薄膜。在H2流量为2.0sccm时,所制备的HGZO薄膜具有特征尺寸约200nm的类金字塔状表面形貌,同时薄膜方阻为4.8Ω,电阻率达到8.77×10-4Ω.cm。H2的引入可以明显改善薄膜短波区域的光学透过,生长获得的HGZO薄膜可见光区域平均透过率优于85%,近红外区域波长到1 100nm时仍可达80%。为了进一步提高薄膜光散射能力和光学透过率,根据不同H2流量下HGZO薄膜性能的优点,提出了梯度H2技术生长HGZO薄膜;采用梯度H2工艺生长获得的HGZO薄膜长波区域透过率有了一定的提高,薄膜具有弹坑状表面形貌,并且其光散射能力有了明显提高。     

作物夏秋热害的防治方法

夏秋季节,由于异常高温的影响,植株的正常生长会受到抑制,引起热害,应引起足够重视。常见的热害主要有以下几种。一、薄膜育秧“烧秧”由于薄膜内环境的密封性,据测定:当气温达到25℃以上时,薄膜内的温度可达40℃以上,极易引起高温烧秧。如果有条件可在地膜内设置温度计测定膜内温度,定时检查温度;如果没有条件设置温度计,可根据气象预报,当最高气温达到25℃以上时,应及时揭膜。防治措施:①早晨当气温升到12℃以上时,应先在秧田中灌水,后     

退火对非晶态碲镉汞薄膜稳定态光电导的影响

利用射频磁控溅射方法,在宝石衬底上制备了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe)薄膜。对原生a-HgCdTe薄膜进行了不同退火时间和不同退火温度的热退火,在80～300K温度范围内,分别测量了原生和退火处理后的a-HgCdTe薄膜样品的稳定态光电导,研究了退火时间和退火温度对非晶态HgCdTe薄膜的稳定态光电导和激活能的影响。结果表明,原生和退火a-HgCdTe薄膜的稳定态光电导具有热激活特性;随着退火时间增加或退火温度升高,a-HgCdTe薄膜的晶化程度提高,导致光电导增大,光电导激活能降低。利用非晶-多晶转变机制讨论了实验结果。     

钎焊气氛对金刚石磨粒与钎料界面微观结构的影响

在真空和Ar气两种不同的氛围中,采用NiCr合金钎料,进行了炉中钎焊金刚石磨粒的试验研究。运用扫描电镜（SEM）、X-射线能谱仪（EDS）和X-射线衍射结构研究了不同钎焊气氛对NiCr合金钎料成分和金刚石磨粒与钎料界面微观结构的影响。结果表明：（1）在不同的钎焊气氛下,由于氧分压的不同导致了NiCr合金钎料的成分也不相同。在Ar气保护气氛下的炉中钎焊金刚石试样表面有B2O3生成。（2）在不同钎焊气氛中,在金刚石磨粒与合金钎料界面生成物都主要为铬的碳化物。但生成物表面形貌不同,在真空炉中焊后的金刚石磨粒表面生成物成放射状生长,而在Ar气保护炉中钎焊后的金刚石磨粒表面生成物如杂草一样生长且生成物组织较真空炉中细小。     

新宾县水稻生长发育与温度的关系

根据新宾县水稻生长规律和农业气候,分析不同温度对水稻生长不同时期的影响,揭示了温度对水稻生长的重要性,论述了水稻生长与温度的关系,提出了在水稻生长过程中各个生育时期,应对不同温度变化的技术措施,如水稻品种选择、温度管理、防御低温等。