抑制素基因免疫对母羊生殖内分泌的影响

用抑制素基因重组质粒（pCIS）免疫生产母羊，剂量分别为每只0．2mg、0．4mg和0．8mg，以生理盐水为对照。结果表明：免疫组抗抑制素抗体阳性率达46．7％。加强免疫后第45天，免疫组的促卵泡素（FSH）水平显著高于对照组（P〈0．05）。首次免疫后第20天与加强免疫后第45天抗体阳性羊的促卵泡素水平显著高于抗体阴性羊（P〈0．05）。与对照组相比，免疫组的雌激素（E2）与孕激素（P）水平无显著变化（P〉0．05）。抑制素基因免疫能调节绵羊的促卵泡素水平，但对雌激素与孕激素的水平无显著影响。     

利用多重RT-PCR对口蹄疫病毒分型

根据已经发表的口蹄疫病毒(FMDV)全基因序列,设计了一套引物,建立多重RT-PCR方法,区分A型、AsiaⅠ型、O型3种血清型的病毒。该方法对O型病毒的敏感性为101.00LD50,对AsiaⅠ型病毒的敏感性为101.25LD50,对A型病毒的敏感性为101.00LD50。该方法具有良好的特异性,能够区分保存适当的病料,可以用于病毒的分型。     

IWO缓冲层对MOCVD-ZnO:B薄膜性能的影响研究

金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲层,应用于MOCVD-ZnO:B薄膜与玻璃之间,可促进ZnO:B薄膜的生长,并且有效提升薄膜的光散射特性。当IWO缓冲层厚度为20nm时,获得的IWO/ZnO:B薄膜的电阻率为2.07×10-3Ω.cm,迁移率为20.9cm2.V-1.s-1,载流子浓度为1.44×1020 cm-3;同时,薄膜具有的透过率大于85%,且在550nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约9.5%,在800nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约4.5%。     

氯精氨可溶性粉防治羊螨病试验

2007年10月1日至2008年1月11日，用新研制的氯精氨可溶性粉对羊螨病进行了防治试验，并与二嗪农进行了对比试验。对400只羊进行药浴试验，其中6×10^5氯精氨组100只、7．5×10^5氯精氨组100只，2．5×10^4二嗪农组200只，药浴后100d末发生螨病；对照组38只羊11月2日开始出现螨病症状，22日达到高峰；用9×10^5氯精氨对8只疥癣羊进行了治疗，7d内全部治愈。     

抑制素基因免疫诱导单胎绵羊孪生的研究

应用抑制素基因免疫重组质粒 (PCIS)免疫绵羊 ,首次免疫后 ,绵羊能够产生抗抑制素抗体 ,加强免疫后抗体增加显著 (P <0 0 5 ) ,免疫羊的抗体阳性率可达 4 6 7%。免疫组与对照组促卵泡素 (folliclestimutatinghormone ,FSH)的含量在加强免疫第 4 5天时差异显著 (P <0 0 5 )。在首次免疫第 2 0天与加强免疫第 4 5天 ,抗体阳性羊的促卵泡素含量显著高于抗体阴性羊 (P <0 0 5 )。免疫羊的双羔率达 39 2 % ,显著高于对照组 (P <0 0 5 ) ,比对照组提高 2 9 2 %。     

抑制素基因免疫对母羊生殖内分泌的影响

用抑制素基因重组质粒(pCIS)免疫生产母羊,剂量分别为每只0.2 mg、0.4 mg和0.8 mg,以生理盐水为对照.结果表明:免疫组抗抑制素抗体阳性率达46.7%.加强免疫后第45天,免疫组的促卵泡素(FSH)水平显著高于对照组(P＜0.05).首次免疫后第20天与加强免疫后第45天抗体阳性羊的促卵泡素水平显著高于抗体阴性羊(P＜0.05).与对照组相比,免疫组的雌激素(E2)与孕激素(P)水平无显著变化(P＞0.05).抑制素基因免疫能调节绵羊的促卵泡素水平,但对雌激素与孕激素的水平无显著影响.     

双拷贝抑制素基因疫苗pcISI的构建和表达及免疫

为构建高免疫原性的卵泡抑制素（Inhibin,INH）DNA疫苗,将INH基因片段α1-32插入到pcIS中乙肝表面抗原（HBsAg）S基因第112-113氨基酸残基密码子之间,构建含2拷贝INH的融合表达质粒pcISI。酶切和测序鉴定表明,重组质粒pcISI构建成功。脂质体包裹法将pcISI转染HeLa细胞,ELISA检测表达产物的INH免疫反应原性。结果表明,融合目的基因在HeLa细胞获得表达,ISI融合蛋白具有比IS融合蛋白更强的INH抗原抗体反应性。将pcISI免疫6只大鼠后,5/6的大鼠产生了抗INH抗体,抗体P/N值在免疫后第2-6周高于pcIS免疫组。这些结果表明,所构建的质粒pcISI可以表达抑制素,表达产物具有较强的免疫原性。     

磁控反应溅射直接生长绒面H化Ga掺杂ZnO-TCO薄膜及其特性研究

采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上直接生长出了具有绒面结构的H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜。研究了H2流量对薄膜结构、表面形貌及光电特性的影响。实验表明,在溅射过程中引入H2明显改善HGZO薄膜电学性能,并且能够直接获得具有绒面结构的薄膜。在H2流量为2.0sccm时,所制备的HGZO薄膜具有特征尺寸约200nm的类金字塔状表面形貌,同时薄膜方阻为4.8Ω,电阻率达到8.77×10-4Ω.cm。H2的引入可以明显改善薄膜短波区域的光学透过,生长获得的HGZO薄膜可见光区域平均透过率优于85%,近红外区域波长到1 100nm时仍可达80%。为了进一步提高薄膜光散射能力和光学透过率,根据不同H2流量下HGZO薄膜性能的优点,提出了梯度H2技术生长HGZO薄膜;采用梯度H2工艺生长获得的HGZO薄膜长波区域透过率有了一定的提高,薄膜具有弹坑状表面形貌,并且其光散射能力有了明显提高。     

鸡新城疫血凝、血凝抑制试验与一步法RT-PCR检测方法的对比

本实验应用一对鸡新城疫病毒(NDV)特异引物，对其进行一步法反转录酶链聚合(RT-PCR)检测试验，并同时应用血凝、血凝抑制试验对NDV进行检测。结果证明：用该引物对NDV强毒可以扩增出一条600bp的特异核酸性条带，且有很高的敏感度。而对NDV弱毒则不能扩增出特异条带。相对血凝、血凝抑制试验其灵敏度要高出100倍。