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【目的】探讨山定子根系线粒体功能对变温胁迫的响应机制及钙在此过程中的调节效应,为深入研究山定子根系适应温度逆境的生理机制奠定基础。【方法】以山定子幼苗为试材,进行变温处理(5℃→20℃→0℃)和CaCl2浇灌处理,测定根系线粒体膜通透性(MPT)、膜电位(?ψm)、超氧阴离子( )产生速率、线粒体细胞色素途径(CP)和交替途径(AP)、钙调素(CaM)含量、钙调磷酸酶(CaN)含量等指标的变化。【结果】大幅度变温导致山定子根系MPT不断增大,?ψm明显下降, 产生速率持续升高,引起根系MDA含量不断增加。CaCl2处理使根系MPT处于较稳定的水平;明显提高降温阶段?ψm的水平;逐渐降低降温阶段的 产生速率,使根系MDA含量始终稳定在较低水平。变温过程中根系CP活性和贡献率先下降后升高,AP活性则持续升高。CaCl2处理显著提高了20℃时CP和AP的活性,且AP活性和贡献率的变化趋势与CP互补。变温过程中根系CaM含量逐渐升高,CaN含量先下降后升高;而CaCl2处理后CaM含量先降低后升高,CaN含量则持续降低。【结论】大幅度变温抑制了山定子根系线粒体的功能,导致电子漏增加,膜脂过氧化程度加剧。外源钙通过稳定MPT,调节CP和AP活性等方式,有效降低了膜脂过氧化程度。在升温阶段,钙处理通过下调CaM和上调CaN来缓解温度胁迫;在降温阶段,钙处理则通过大幅度上调CaM和下调CaN来缓解温度胁迫。 相似文献
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【目的】探究不同浓度的纳米氧化锌(ZnO NPs)对花生幼苗生长和光合性能的影响,为ZnO NPs在花生生产中的研究和应用提供理论和实践依据。【方法】采用水培法对花生品种豫花37的幼苗分别进行不同浓度(0、 0.01、0.05、 0.10和0.50 mmol/L)和不同时间 (5和10 d)的ZnO NPs处理,测定花生幼苗的形态指标、气体交换参数、叶绿素荧光参数、叶绿素相对含量和氮平衡指数等,并对以上指标进行统计分析。【结果】随着ZnO NPs处理浓度的增加和时间的延长,花生幼苗的鲜重、干重、总根长、总根表面积、净光合速率、气孔导度、光化学性能指数、氮平衡指数和叶绿素相对含量等指标均呈逐渐降低或波动降低趋势,蒸腾速率先升高后降低,类黄酮相对含量逐渐增加。处理10 d时,0.10和0.50 mmol/L ZnO NPs处理使幼苗的鲜重、根干重、净光合速率和光化学性能指数分别显著降低26.3%~41.7%、16.7%~41.7%、 50.9%~80.7%和46.7%~59.2% (P<0.05,下同);不同浓度和时间的ZnO NPs处理使幼苗的氮平衡指数显著降低19.1%~73.9%。相关分析结果表明,花生幼苗的鲜重和干重与总根长、净光合速率、蒸腾速率、叶绿素相对含量呈显著或极显著 (P<0.01,下同)正相关,幼苗鲜重还与光化学性能指数和氮平衡指数呈极显著正相关。【结论】 ZnONPs抑制了花生幼苗根系对水分和氮素的吸收,同时抑制幼苗叶片的叶绿素合成、损伤光系统Ⅱ结构,降低幼苗的净光合速率,使幼苗的水分和养分供应不足,从而抑制幼苗生长。 相似文献
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DCPTA和ETH复配剂对玉米茎秆力学特性及籽粒产量的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
为探究植物生长调节剂对玉米茎秆力学特性的影响以及与产量的关系,以东农253为试材,在玉米9叶期喷施2种外源物质:玉黄金、自配的DCPTA和ETH复配剂(代号KP),以喷施清水为对照(CK)。喷施处理后,分别在玉米抽雄前10 d、抽雄期、灌浆初期、乳熟期和完熟期取其茎秆研究力学特性,并在收获期测产。结果表明,与CK相比,喷施KP和玉黄金后,株高分别下降8.87%和6.65%,穗位高分别下降17.79%和4.04%,扁率最高下降45.86%和15.86%;茎秆横折强度、穿刺强度、单位节间长度干物重、节间横截面积及皮厚最高分别提高150.17%、103.56%、215.79%、85.03%、110.48%和115.46%、56.44%、53.33%、76.19%、27.41%。收获期玉黄金处理下籽粒水分含量较CK显著下降4.97%。KP和玉黄金处理下的产量较CK增加9.23%和5.78%。相关性分析表明,植物生长复配剂处理后茎秆的皮厚、穿刺强度、横折强度、横截面积、单位节间长度干物重和田间致倒伏推力与产量呈正相关;株高、穗位高和扁率与产量呈负相关。由此可见,植物生长复配剂可以提高玉米茎秆强度以及籽粒产量。本研究结果为黑龙江玉米化控高效栽培提供了理论依据。 相似文献
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为了探讨外源硅对镉胁迫下玉米幼苗的生长缓解效应,以豫单9953为试验材料,以浓度为318 mg/kg的硅酸钠和浓度为35 mg/kg的氯化镉分别溶解于水后均匀混拌于土壤中,进行土壤盆栽试验。对玉米苗期地上部分株高、叶面积、SPAD值、光合速率、荧光参数和地下部的根系参数以及可溶性蛋白含量和电导率等指标进行测定。结果表明,硅能显著缓解玉米苗期镉的胁迫。与对照相比,镉处理组的玉米株高、叶面积、叶片和根系的干质量分别下降18.70%、33.40%、39.13%和42.86%,硅的施用改善了镉的抑制,与镉处理相比分别增加了7.66%、11.05%和33.33%、25.00%;硅的施用提高了镉胁迫下总根系长度、体积和表面积;玉米幼苗的光合特性受到镉的胁迫,硅的施用降低了镉对SPAD值和光合速率的胁迫,与镉处理相比分别提高了15.64%和39.49%,同时也改善了镉对玉米叶绿素荧光的抑制,增加了叶片可溶性蛋白含量,降低了叶片相对电导率。硅能显著改善镉对玉米幼苗地上部和地下部的抑制作用,促进根系生长,增强光合作用,调节生理代谢过程,降低地下根系对镉的吸收和转运,提高玉米对镉的耐受能力,为缓解镉对玉米... 相似文献
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为探讨不同浓度硅元素对玉米苗期形态和根系生长的影响,以豫单9953为试验材料,设置0、0.5、1.5、3、5和10 mmol/L 6个硅浓度梯度,对玉米苗期株高、叶面积及根系形态特征进行分析。结果表明,硅能增加玉米幼苗的株高、叶面积、植株干鲜重,提高根系所占比例。施硅有效地增加了主胚根和侧胚根的根系长度、根表面积和根体积,显著增加了主根10 cm根段上侧根数目,对根系直径影响较小,硅促进效应表现为侧胚根优于主胚根。通过主成分分析筛选出株高、植株总干重和主根长等6个指标,可作为指示性指标用于评价硅酸钠对玉米幼苗地上和根系形态的影响。计算不同浓度下第一、二和第三主成分综合得分并对其进行排名,最终得到当硅浓度为3 mmol/L时,玉米叶片和根系生长指标最优。 相似文献
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