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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
碳化硅肖特基结的研制
作者姓名:
陈守迎
张聪
汤德勇
作者单位:
济南市半导体元件实验所;
摘 要:
近年来,Si器件的设计和制造工艺取得巨大进步,使Si器件特性已经接近材料理想极限。SiC材料的禁带宽度大、热导率高、临界电场高,SiC器件的高压、高温和抗辐射能力都远高于Si器件。本论文采用了Si器件的各种制成工艺技术,包括保护环、结终端扩展和台面结构,选用镍(Ni)与4H-SiC接触形成肖特基势垒,SiC肖特基二极管的基本结构与Si肖特基二极管相同,实验取得成功。
关 键 词:
禁带
热导率
器件
SiC
肖特基二极管
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