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大蒜叶枯病菌毒素产生条件的研究
引用本文:张志强,程智慧,沈永杰. 大蒜叶枯病菌毒素产生条件的研究[J]. 西北农林科技大学学报(自然科学版), 2007, 35(12): 186-190
作者姓名:张志强  程智慧  沈永杰
作者单位:西北农林科技大学,园艺学院,陕西,杨凌,712100
基金项目:国家科技攻关计划;中-德合作项目
摘    要:为了筛选大蒜叶枯病菌培养的最佳产毒条件,从田间发病的大蒜叶片上分离、鉴定得到大蒜叶枯病菌菌株,利用大葱种子发芽法研究培养条件(培养基、培养温度、光照、振荡、培养基pH值、培养时间)对大蒜叶枯病菌菌株产毒能力的影响。结果表明,大蒜叶枯病菌的最佳产毒培养条件为:Czapek-Dox液体培养基、培养温度24℃、培养基pH值6.0~7.0、连续黑暗振荡培养,在以上条件下培养20 d时大蒜叶枯病菌产生粗毒素的毒性最强。

关 键 词:大蒜叶枯病菌  培养条件  粗毒素
文章编号:1671-9387(2007)12-0186-05
收稿时间:2006-11-03
修稿时间:2006-11-03

Conditions of toxin production of Stemphylium vesicarium
ZHANG Zhi-qiang,CHENG Zhi-hui,SHEN Yong-jie. Conditions of toxin production of Stemphylium vesicarium[J]. Journal of Northwest A&F University(Natural Science Edition), 2007, 35(12): 186-190
Authors:ZHANG Zhi-qiang  CHENG Zhi-hui  SHEN Yong-jie
Affiliation:(College of Horticulture,Northwest A & F University,Yangling,Shaanxi 712100,China)
Abstract:
Keywords:Stemphylium vesicarium(Wallr) Simmons  culture condition  crude toxin
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