重离子诱发二次光子位置测量技术研究

为进一步丰富芯片微观区域单粒子效应敏感度研究方法,开展IPEM装置建设前期研究。针对新型装置入射离子位置测量这一关键问题,在串列加速器单粒子效应专用辐照终端上,搭建光学位置测量装置,对单个离子在闪烁体材料上诱发产生的光子进行位置测量。通过分析实验数据,确认CCD测量到代表单个入射离子的二次光子图像,为下一步IPEM辐照装置的建设积累了经验。