二极管的工艺设计理论

<正>二极管P-N结的击穿电压特性不仅是二极管本事的重要参数,也是设计半导体器件设计的基础。而半导体P-N结击穿主要以齐纳击穿和雪崩击穿两种形式。而产生击穿的主要原因是,在强电场的作用下大大地增加了导带电子和满带空穴的数目,引起反向电流的急剧增加,引起P-N结击穿。所以二极管设计时首先确认其反向击穿电压。1衬底杂质电阻率的确认二极管P-N结的反向击穿电压体现了杂质的内部运动,因此杂质浓度对击穿电压起到决定性的作用。击穿电压与高阻区杂质浓度NB成反比(如图1)。根据杂质浓度与击穿电压关系中可以得出击穿电压与杂质浓度成反比。