氢气在金属合金制程中对MOSFET界面态的影响

金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的界面态影响器件的正常性能发挥。本文采用在合金制程中通入氢气的方法,并通过电荷泵(Charge Pumping)技术手段测量定性,反映氢气在金属合金(Metal Alloy)制程中对界面态的改善作用。实验结果表明界面态密度的降低不仅与合金制程中通氢气的时间有关,而且与氢气的流量也有关。为工艺改进和提升器件成品率,可靠性提供重要参考信息。