碳纳米管的场发射特性的数值模拟

本文利用有限元的方法对碳纳米管的表面电场强度进行了数值模拟,计算了碳纳米管一维阵列在不同间距下的场发射电流。通过计算发现,在碳纳米管一维阵列中当碳纳米管之间的间距小于碳纳米管高度的三倍时,碳纳米管之间的场屏蔽效应随距离的增加而迅速衰减;当间距大于高度的三倍时,场屏蔽效应随距离的增加而非常缓慢的降低。在碳纳米管一维阵列中当碳纳米管之间的间距等于碳纳米管高度的三倍时,碳纳米管阵列的场发射电流密度最大。