等离子体浸没离子注入豌豆种子的表面形态研究 |
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作者姓名: | 吴美萍 钟华 |
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作者单位: | [1]中国纺织大学基础部 [2]上海农学院植物科学系 |
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摘 要: | 用等离子体浸没离子注入设备对食荚青豌种子进行了氩离子注入,卢瑟福背散射方法证实了经过这种离子注入后,的确有一定数量的氩离子进入了食荚青豌种子,并发现注入种子的氢离子的相对浓度与注入的时间有关。用扫描电子显微镜对经过注入和未经注入离子的食荚青豌种子的表面形态进行研究,发现等离子体浸没氩离子注入对种子有刻蚀作用。本文还探讨了这种注入方式引起种子细胞损伤的机制。
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关 键 词: | 等离子体 浸没离子注入 表面形态 豌豆 种子 |
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