外源Si对盐胁迫下甘草幼苗形态及生理指标的影响

为深入了解Si对盐胁迫下甘草幼苗的影响,本实验采用培养皿滤纸床进行发芽试验,以乌拉尔甘草幼苗为试验材料,在两种浓度Na Cl溶液胁迫下设置不同浓度的硅溶液对甘草幼苗进行处理,通过测定幼苗形态(胚根、胚芽)及生理(质膜相对透性、丙二醛和过氧化物酶)指标,以探讨在盐胁迫下外源硅对甘草幼苗形态及生理指标的影响。结果表明,在Na Cl胁迫下,加入硅(Si)溶液后可以有效增加幼苗胚芽和胚根的长度及重量。在低盐(100mmol/L)胁迫下,Si浓度为0.4 mmol/L时对胚根生长的促进最强;在高盐(200 mmol/L)胁迫下,Si浓度为0.8mmol/L时对胚根生长的促进作用最强。外源Si也不同程度提高了过氧化物酶活性、渗透调节物质脯氨酸含量,以及丙二醛含量和质膜相对透性。由此可见,在盐胁迫条件下,加入适宜浓度的外源硅,可以通过保持一定的抗渗透胁迫能力和清除活性氧的能力,进而保持膜的稳定,来缓解盐胁迫对甘草幼苗生长的抑制作用。