| 第一性原理计算分析冲击压缩下Mgo电导率突降起因 |
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| 引用本文： | 杨改蓉,房勇,何林,纪红萱,何旭.第一性原理计算分析冲击压缩下Mgo电导率突降起因[J].西南大学学报,2009,31(9). |
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| 作者姓名： | 杨改蓉 房勇 何林 纪红萱 何旭 |
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| 作者单位： | 1. 成都纺织高等专科学校,基础部,成都,611731
2. 四川师范大学,物理与电子工程学院,成都,610066 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，四川师范大学重点资助项目 |
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| 摘 要： | 为了解释冲击实验在压力90 GPa附近观测到MgO电阻率突降的现象,采用第一性原理平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),首先计算了MgO理想晶体在105 GPa压力范围内的电子能带结构,得出理想晶体MgO能隙随压力的变化关系.结果表明压力增加引起能隙的降低,不能解释实验上观测到的现象.其次还计算了在90 GPa压力下氧空位对MgO能带结构的影响,结果表明空位点缺陷可能是引起MgO电阻率突降的一个物理机制.
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| 关 键 词： | 氧化镁 高压 电阻率 点缺陷 |
Analysis of the Causes for Abrupt Drop of Electronic Conductivity of MgO under High Pressure Using First Principle Calculation |
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| Keywords: | MgO high pressure resistivity point defect |
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