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邻菲罗啉化学修饰碳糊电极三元络合物体系测定痕量钴
引用本文:
黄杉生,许岩.邻菲罗啉化学修饰碳糊电极三元络合物体系测定痕量钴[J].湖南农业大学学报(自然科学版),1998,25(5).
作者姓名:
黄杉生
许岩
摘 要:
制备了邻菲罗啉化学修饰碳糊电极,在含噻吩甲酰三氟丙酮的HAc-NaAc体系中,Co(Ⅱ)离子经化学富集在电极一须上形成三元络合物,采用2.5次微分伏安法测定痕量Co(Ⅱ)离子,Co(Ⅱ)浓度在8.0×10^-9~7.0×10^-7mol.L^-1范围内与阳极溶出峰峰高成良好的线性关系,检出限达1.2×10^-9mol.L^-1电极用于水样中钴的测定,结果令人满意。
关 键 词:
碳糊电极
三元络合物
化学修饰电极
钴
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