氩氧比和工作压强对溅射AZO薄膜光电学性能的影响 |
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作者姓名: | 刘持 彭新村 |
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作者单位: | 东华理工大学机械与电子工程学院; |
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摘 要: | 文章采用射频磁控溅射法在普通玻璃基片上制备AZO透明导电薄膜。用紫外-可见分光光度计和四探针测量了不同氩氧比和工作压强下制取样品的光学和电学性能。结果表明,所制备的AZO薄膜在可见光范围内的平均透过率约为80%;薄膜的电阻率随着工作压强的变化呈现一定的变化规律,得到的薄膜最低方块电阻约为290Ω/□。
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关 键 词: | AZO透明导电膜 射频磁控溅射 透光率 方阻 |
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