^60钴-γ射线诱发突变改良苦荞的研究

采用^60钴-γ射线100-800Gy对苦荞的4个品种进行辐射处理，处理结果表明，随着剂量的增加苦荞的幼苗高度和根系生长逐渐受到抑制。辐射处理在700-800Gy内苦荞的幼苗生长受到显的影响，而100-200Gy的处理对苦荞的影响不大。辐射种子能够引起苦养多个性状发生变异，但在100L-200Gy突变频率很低，而在300-600Gy内，随着剂量的增加突变频率则逐渐增加。根据处理结果，最适宜的剂量是300-600Gy。辐射处理导致苦荞黄酮含量发生改变，并可以从中选择到高黄酮含量的突变型。此外，通过选择还获得了高抗落粒性、较高黄酮含量和适宜生育期的突变型“5—2—62”。