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CdnSn(1≤n≤12)团簇结构与电子性质的密度泛函理论研究
引用本文:楚合营,刘朝霞,罗华平,张景川,胡芸莎.CdnSn(1≤n≤12)团簇结构与电子性质的密度泛函理论研究[J].塔里木农垦大学学报,2012,24(4):39-44.
作者姓名:楚合营  刘朝霞  罗华平  张景川  胡芸莎
作者单位:塔里木大学机械电气化工程学院,新疆阿拉尔,843300
基金项目:国家自然科学基金资助项目(10964009);塔里木大学校长基金硕士项目(TDZKSS1010)
摘    要:采用基于密度泛函理论的Dmol3模拟软件包对CdnSn(1≤n≤12)团簇的几何结构进行优化,并对其能量、频率以及电子性质进行了模拟分析.结果表明,当n=1~3时,团簇的最低能量结构是平面结构;当n=4~12时,团簇的最低能量结构可以看成是由Cd2S2和Cd3S3团簇的最低能量结构连接而成的三维结构.随着团簇尺寸的增大,转移的电荷逐渐增加,转移的电荷量有达到块体中电荷值的趋势.团簇的总能量二阶有限差分,平均结合能以及最高已占据轨道和最低未占据轨道的能隙都显示团簇的幻数为n=3,6和9.

关 键 词:CdnSn(1≤n≤12)团簇  密度泛函理论  第一性原理
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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