铁磁隧道结的隧穿磁电阻研究 |
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引用本文: | 白忠臣,齐赟,唐维媛.铁磁隧道结的隧穿磁电阻研究[J].长江大学学报,2012(7):12-14. |
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作者姓名: | 白忠臣 齐赟 唐维媛 |
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作者单位: | 贵州大学光电子技术及应用重点实验室,贵州贵阳550025 |
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基金项目: | 贵州省科学技术基金项目(黔科合J字[2010]2103号). |
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摘 要: | 在Slonczewsik自由电子理论模型下,研究了-由铁磁/铁磁绝缘体/铁磁构成的隧道结在零偏压下的隧穿电导、自旋极化率和隧穿磁阻比率。结果表明,隧道结的磁结构对TC(隧穿电导)和TMR(隧穿磁阻)的值有很大的影响,在两磁极磁化方向相同且与势垒分子场同向时,TC取到最小值,而方向为反平行时,TC数值为最大,同时还对分子场取向对自旋电子输运性质的影响进行了分析,所得结果对自旋器件的设计有一定意义。
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关 键 词: | 隧道磁阻 TC TMR 电子输运 透射系数 |
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