| 痕量硫氰根离子的阴极溶出伏安法测定 |
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| 引用本文： | 周享春,彭章艳.痕量硫氰根离子的阴极溶出伏安法测定[J].湖北农学院学报,1997,17(3):204-207. |
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| 作者姓名： | 周享春 彭章艳 |
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| 作者单位： | 荆州师范高等专科学校化学系 |
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| 摘 要： | 在含有ＨＣｌＯ４和Ｃｕ（Ⅱ）的支持电解质中，得到络合物ＣｕＳＣＮ吸附波，该小以的峰电位为－０．４５Ｖ，峰高与ＳＣＮ＾－在０．０１－０．１２μｇ／ｍＬ的质量浓度范围内成正比。因此，该方法可用于测定痕量的ＳＣＮ离子浓度，其检测限为０．００４μｇ／ｍＬ。
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| 关 键 词： | 硫氰根离子 阴极溶出伏安法 |
The Determination of Traces Thiocynate by Cathodic Stripping Voletammety |
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| Zhou Xiangchun,Peng Zhangyan.The Determination of Traces Thiocynate by Cathodic Stripping Voletammety[J].Journal of Hubei Agricultural College,1997,17(3):204-207. |
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| Authors: | Zhou Xiangchun Peng Zhangyan |
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| Keywords: | thiocynate cathodic stripping voletammetry |
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