棉花枯、黄萎菌在同一培养平面上生长特性的初步研究

常规培养温度(22—26℃)下,枯萎菌在 PDA 平面上的绝对生长速度是黄萎菌的3—5倍;在培养时间相同的条件下,枯萎菌在 PDA 培养基上关于温度(10—18℃)的直线生长速度是黄萎菌的4倍左右。在同一PDA 平面上生长的枯、黄萎菌之间不表现桔抗作用,枯萎菌可以形成自己的大型分生孢子。黄萎菌亦可形成微菌核。选择性培养基有调节枯、黄萎菌绝对生长速度的比值,促进它们形成各自的特征性菌落的作用。因此,有可能在同一选择性培养基平面上同时鉴别它们。