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| 高压静电场和氮离子复合处理对链霉菌的影响 | |
| 作者姓名： | 石磊 白爱枝 鲍秀珍 梁运章 |
| 作者单位： | 内蒙古自治区离子束生物工程重点实验室;内蒙古医科大学计算机信息学院物理教研室;内蒙古大学物理科学与技术学院; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(51267013) |
| 摘 要： | 分析了不同剂量氮离子(N+)和高压静电场(HVEF)处理金色链霉菌的存活率和突变率关系,进而确定了最佳处理参数:N+能量10kev·cm-1,注入剂量1.82×1015N+ions·cm-2、2.86×1015N+ions·cm-2,电场剂量(时间、场强)20s×0.5kv·cm-2、60s×2kv·cm-2。用上述优选的HVEF和N+剂量对金色链霉菌进行复合处理,发现在部分复合处理条件下,菌株正变率比使用等剂量N+单因子处理的正变率要高。通过对出发菌株SL2、N+注入选育的高产菌株M226以及N+和HVEF复合处理获得的高产菌株D1114的3种保护酶POD、SOD、CAT的活性进行检测,发现D1114菌株3种酶的活性均最高,其次是M226,说明这3种酶在诱变处理中扮演着重要角色,并且HVEF和低能N+复合处理的效果较N+单一诱变效果要好。 |
| 关 键 词： | 高压静电场 氮离子 链霉菌 复合处理 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |