高自旋极化稀土材料TmS的电子结构

使用基于密度泛函理论的第一性原理研究,优化了岩盐结构高自旋极化材料Tm S的几何结构,计算了其自旋极化的态密度和离子磁矩等磁电性能,分析了Tm S的电子结构,并对其应用前景做出了展望。结果表明,Tm S在费米面处具有接近98.5%的自旋极化率,为高自旋极化材料,且其原胞磁矩为-4.88μB,为强磁体材料,使其有望成为自旋电子器件的自旋注入端材料。Tm S的原胞磁矩主要来源于稀土元素Tm。