镉胁迫条件下硅对果蔗幼苗生长及镉吸收的影响

【目的】探究镉(Cd)胁迫条件下硅(Si)对果蔗生长及Cd吸收的影响。【方法】采用砂培试验的方法,以广西普遍种植果蔗品种(Badila)为材料,研究不同Si施量(0、10、20和40 mg/L)对Cd胁迫条件下的果蔗生长指标及Cd吸收的影响。【结果】Cd胁迫条件下,与未施Si的对照处理相比,各施Si处理下果蔗鲜重、株高、根长等指标均有所增加,其中Si用量为20 mg/L处理的果蔗鲜重、株高和根长等指标均为最高,分别比对照处理增加78.74%、303.98%和85.11%。与未施Si相比,各施Si处理果蔗根茎叶Cd的含量均显著降低,降幅达31.69%~61.24%。各施Si处理均可显著增加Cd从根系向叶的转运,转运因子相比对照分别增加27.27%、72.73%和36.36%。【结论】Cd胁迫条件下,施Si可以促进果蔗幼苗的生长,降低果蔗根茎叶中镉的含量,一定程度上缓解了镉对果蔗的毒害作用。