首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

基于EXB841的IGBT驱动电路优化设计
引用本文:孟志强,陈燕东,周华安. 基于EXB841的IGBT驱动电路优化设计[J]. 湖南农业大学学报(自然科学版), 2006, 33(6)
作者姓名:孟志强  陈燕东  周华安
作者单位:湖南大学电气与信息工程学院 湖南长沙410082(孟志强,陈燕东),湖南大学机械与汽车工程学院 湖南长沙410082(周华安)
基金项目:湖南省自然科学基金资助项目(0255Y3050)
摘    要:针对EXB841典型IGBT驱动保护电路中存在的不足,提出了采用外部负栅压成型电路提高负栅压、过流检测电路精确调整过流动作阈值,虚假过流故障识别与故障信号锁存电路识别虚假过流和过流锁定等改进方法,设计了相应的优化驱动电路.优化驱动电路在臭氧发生电源中得到了应用,实际运行表明优化驱动电路克服了EXB841典型驱动的不足,改善了IGBT的驱动与保护性能,具有很好的实用性.

关 键 词:IGBT  EXB841  驱动电路  优化设计

Optimum Design of IGBT's Driving Circuit Based on EXB841
MENG Zhi-qiang,CHEN Yan-dong,ZHOU Hua-an. Optimum Design of IGBT's Driving Circuit Based on EXB841[J]. Journal of Hunan Agricultural University, 2006, 33(6)
Authors:MENG Zhi-qiang  CHEN Yan-dong  ZHOU Hua-an
Affiliation:1. College of Electrical and Information Engineering, Hunan Univ, Changsha, Hunan 410082, China; 2,College of Mechanical and Automative Engineering, Hunan Univ,Changsha,Hunan 410082,China
Abstract:Based on the shortages of EXB841''s typical driving circuit for Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT),some effective countermeasures,which included the external grid-voltage molding circuit to boost grid-voltage,the over-protection detection circuit to m
Keywords:IGBT  EXB841  driving circuit  optimum design
点击此处可从《湖南农业大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息
点击此处可从《湖南农业大学学报(自然科学版)》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号