| SiC薄膜的制备和发光特性的研究 |
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| 引用本文： | 孟旭东,刘艳霞,杨富.SiC薄膜的制备和发光特性的研究[J].河北北方学院学报(自然科学版),2009,25(4):7-9,13. |
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| 作者姓名： | 孟旭东 刘艳霞 杨富 |
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| 作者单位： | 河北北方学院理学院,河北,张家口,075000 |
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| 基金项目： | 河北省教育厅自然基金项目，张家口市科技局项目 |
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| 摘 要： | 目的 制备SiC薄膜并对其发光特性进行研究. 方法 用射频溅射法在玻璃衬底上制备SiC薄膜,退火处理后并利用光致发光谱(PL)对发光性能进行分析. 结果 SiC薄膜样品在紫外区存在360 nm和370 nm两个发光峰,峰的强度都随着腐蚀时间的增长而增加,在t=20 min时达到最大,然后强度减小,而且峰的强度随退火温度升高而增加,在蓝光区存在470 nm发光峰,峰的强度随退火温度升高而增加. 结论 玻璃衬底腐蚀时间为20 min,SiC沉积时间为1 h时样品表现出了比较好的发光特性,在紫外区和蓝光区出现了光致发光,样品的发光强度随退火温度的增加显著增强.
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| 关 键 词： | SiC薄膜 射频溅射 光致发光 |
Preparation and Photoluminescence Properties of Silicon Carbide Films |
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| MENG Xu-dong,LIU Yan-xia,YANG Fu.Preparation and Photoluminescence Properties of Silicon Carbide Films[J].Journa of Hebei North University:Natural Science Edition,2009,25(4):7-9,13. |
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| Authors: | MENG Xu-dong LIU Yan-xia YANG Fu |
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