| Si(001)-(2×2×1):H表面弛豫研究 |
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| 引用本文： | 邓小燕,王秀清.Si(001)-(2×2×1):H表面弛豫研究[J].河北北方学院学报(自然科学版),2008,24(5). |
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| 作者姓名： | 邓小燕 王秀清 |
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| 基金项目： | 河北北方学院科研资助项目 |
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| 摘 要： | 目的 研究Si(001)-(2×2×1):H表面的几何结构和电子特性.方法 在周期边界条件下,采用基于密度泛函理论的广义梯度近似平面波超软赝势法,对Si(001)-(2×2×1):H表面结构进行了弛豫计算并对该表面进行电子结构分析.结果 结果表明弛豫作用使得部分电子从第一层硅原子转移到了第二层硅原子上,从而导致表层硅呈现正电性.结论 这样的电子结构特性将有助于负电性强的氧气分子在硅氢表面的吸附. 弛豫后的Si(001)-(2×2×1):H表面的能带结构具有半导体材料的特征.
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| 关 键 词： | Si(001)-(2×2×1):H 表面弛豫 密度泛函理论(DFT) |
Relaxation Study of Si(001)-(2×2×1):H Surface |
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| DENG Xiao-yan,WANG Xiu-qing.Relaxation Study of Si(001)-(2×2×1):H Surface[J].Journa of Hebei North University:Natural Science Edition,2008,24(5). |
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| Authors: | DENG Xiao-yan WANG Xiu-qing |
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| Abstract: | |
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