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分类号
杂志ISSN号
用提拉法生长Bi_(12)SiO_(20)单晶
作者姓名:
朱春城
林红
作者单位:
农垦师专生物系(朱春城),农垦师专化学系(林红)
摘 要:
本文介绍了提拉法生长Bi12SiO20(BSO)晶体所必须的设备、仪器与工艺条件。用这些设备、仪器及工艺可消除晶体生长过程中常见的缺陷,生长出具有优良性能的高质量的BSO晶体。
关 键 词:
BSO晶体
晶体生长
提拉晶体
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