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| 非易失性纳米晶存储技术研究 | |
| 作者单位： | ;1.国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心 |
| 摘 要： | 当前硅基浮栅存储器已经无法满足超高密度存储的性能要求,器件结构尺寸难以进一步缩小,同时现代信息技术的发展对器件的速度、功耗、可靠性提出更高的要求。在此背景下,研究人员对于新型非易失性半导体存储器技术的研发成为热点。文章介绍了纳米晶存储器的改进方案,探讨了提升存储器件性能的方法。 |
| 关 键 词： | 非易失性 纳米晶存储 存储器 |
Research on Nonvolatile Nanocrystalline Memory Technology |
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