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研究60Coγ射线辐照对广藿香离体培养的影响,为将辐照诱变技术应用于广藿香新品种选育奠定基础。以广藿香的叶片、带节茎、不带节茎及根为材料进行60Coγ射线辐照试验,采用MT基本培养基,附加0.05mg/L BA进行离体培养。广藿香外植体的死亡率随着辐照剂量的提高而上升,由回归方程导出广藿香叶片、带节茎及不带节茎的辐照半致死剂量分别为72、66和64Gy;外植体再生芽能力,随着辐照剂量的升高而降低。表明辐照会造成外植体的损伤及死亡,对外植体的离体再生有明显的抑制作用,同时,也使部分外植体的再生苗出现一些表型的变化。 相似文献
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