梨立枯丝核菌果腐病菌生长条件及寄主范围测定

对近年来新发现的梨立枯丝核菌果腐病菌（Rhizoctonia solani）生长条件和寄主范围进行了研究。利用生长速率法测定了不同培养基、温度、pH值、光照条件、碳源、氮源对菌丝生长和菌核形成的影响。结果表明：R. solani菌丝最适生长条件为察氏培养基,温度25℃,pH值5.0～6.0,全光照培养,麦芽糖为碳源,甘氨酸为氮源;而菌核形成的最佳培养基为PDA培养基,最适氮源为氯化铵。离体菌丝块有伤接种结果表明,R. solani除侵染梨果实外,还可侵染苹果、香蕉、桃、李和枣等果实,但不侵染蓝莓、葡萄、橙和猕猴桃等果实,对香蕉果实的侵染能力较弱,对不同品种的梨和苹果果实的致病力差异较大。