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先在玻璃衬底上制备Mo、掺锡氧化铟(ITO)和掺铝氧化锌(AZO)导电电极材料,然后分别以普通玻璃、玻璃/Mo、玻璃/ITO和玻璃/AZO为衬底,沉积a-Si/SiO2/Al叠层膜,于450°C退火2h。XRD测试表明,4种衬底上非晶硅均可以被诱导生成多晶硅薄膜,因此Mo、ITO和AZO均可以作为铝诱导多晶硅器件的电极材料。 相似文献
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