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以植株茎段为外植体,进行了甜樱桃矮化砧木品种‘吉塞拉6号'离体快速繁殖技术研究。结果显示:外植体培养于改良MS+1 mg/L ZT+0.5 mg/LBA+0.2 mg/L NAA+0.5 g/L CH,30 d后腋芽萌发率达81.3%;丛芽增殖的适宜培养基是:改良MS+0.5 mg/L BA+0.5 mg/L KT+0.1 mg/L NAA+0.01 mg/L TDZ,增殖系数达5.8;1/2MS+1.0 mg/L IBA+0.2 mg/L NAA是诱导甜樱桃试管苗生根的适宜培养基,生根率达98.3%;适宜试管苗移栽的基质配比为泥炭:椰糠:珍珠岩=1:1:1(v:v:v),试管苗移栽成活率达98%以上。 相似文献
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