水稻种子接触静电对播种落地偏移量影响的试验与研究

在100 mm、150 mm、200 mm距地高度下,分别测量水稻种子在接触静电和未接触静电情况时,种子通过接触式静电试验装置后的落地偏移量。将三组对照试验的数据进行统计分析,试验结果表明:水稻种子接触带电后,种子落地偏移量明显减小;随种子距地高度的不断增加,种子落地偏移量也会变大;静电电压为17k V时,种子落地偏移量可比对照组平均减小5~9 mm。     

和田玉超声波深孔珩磨运动特性分析

针对和田玉深孔磨削抛光加工性能要求,对超声波振动深孔珩磨加工运动特性进行了建模与计算分析;着重分析了超声波振动珩磨加工时的变速特性,磨削频转比、振幅参数取值空间的变化对磨削速度的影响规律。分析结果表明,超声波振动磨削时调整合适参数能改变磨削时油石与工件切入时的工作角度,这样能有效控制油石的凹陷,增加油石的耐用度,优化工艺规律,为今后对具体研磨过程提供参考。     

全林标记采伐木在森林经营作业设计调查中的应用

为提高森林经营作业中林分采伐蓄积量的精度,将误差降至最低,对森林经营作业小班采取全林标记采伐木的方法进行调查设计,通过2a的摸索实践,结果表明,与传统调查设计方法相比,采伐木蓄积误差明显降低,作业质量大幅提高。实践证明,该方法在森林经营工作中切实可行,值得推广。     

多因素浑水膜孔灌入渗特性分析

主要选取土壤容重、土壤初始含水率、膜孔直径和浑水含沙率4个影响因素,研究多个因素综合作用下的浑水膜孔灌单点源入渗特性及分析各因素的敏感性.试验采用正交设计,利用SPSS软件多元回归分析法,对四因素影响下的单位膜孔面积累积入渗量进行了回归分析,拟合决定系数R=0.98,表明各影响因素均对浑水膜孔灌单点源入渗有影响.利用相对值法分析了各因素入渗参数对单位膜孔累积入渗量的影响程度,且显著程度由大到小依次为膜孔直径、土壤容重、土壤初始含水率、浑水含沙率;利用敏感性指标判断得出在同一入渗时间,各影响因素越大对浑水膜孔灌单点源入渗的入渗速率的影响越弱.     

不同施药技术对蛀干害虫的防效比较试验

比较了根部施药、钻孔注药、插药瓶、挂药袋以及从虫孔注入药液和药膏等方法对蛀干害虫的防效。挂药袋仅对孵化初期的臭椿沟眶象防效较好，从虫孔注入药液对向下或上下串食的害虫防效较好，SGY药膏对向各种方向蛀食的害虫防效均高于90．0％，其他方法防效较差。     

肥液浓度对膜孔交汇入渗水氮运移转化影响

通过分析膜孔多向交汇入渗条件下肥液质量浓度对土壤水分分布特征和氮素运移转化影响的室内试验资料,研究提出了土壤湿润体的含水率及其硝态氮和铵态氮与不同肥液质量浓度和灌水入渗时间关系的经验公式,提出了湿润体内土壤含水率及其减小量和减小率、土壤硝态氮及其转化量和转化率、土壤铵态氮及其转化量和转化率与肥液质量浓度和运移转化时间关系的经验公式.结果表明：该经验公式的相关系数均大于0.9000,标准误差很小,且通过0.05的显著性检验,可见该经验公式能反映膜孔多向交汇入渗不同肥液质量浓度的土壤水分分布和氮素运移转化规律.     

国产油松、马尾松原木品质应力波法试验及其缺陷研究

为了探讨振动法测量木材动态弹性模量时应力波波速的差异性,本实验选取含有不同节子及内部孔洞的国产油松、马尾松原木为试验材料,采用纵向敲击法测量原木试材的动态弹性模量。建立原木缺陷的数学模型,模拟计算和分析表明,木材节子及孔洞对应力波波速及弹性模量均有影响,而且降低了木材品质。     

悬挂式挖坑机钻头螺旋面载荷分布规律初探

在室内土槽实验的基础上，经数据采集和动载荷特性分析，运用数理统计理论，建立了多元线性正交回归分析模型，得出了挖坑机钻头螺旋面的载荷分布规律。     

河西内陆灌区春小麦、玉米膜上灌水技术和地膜覆盖效应试验

2003 年和 2004 年在甘肃省张掖市甘州区二十里堡乡七号村进行了膜上灌条件下的覆膜春小麦和玉米的灌水技术及地膜覆盖效应的试验研究。结果表明地膜覆盖具有明显的增温保墒效应,在作物苗期增温效应尤为显著。覆膜农田地表下 5cm、10 cm、15 cm、20 cm 和 25 cm 在 8:00,14:00 和 18:00 三个时刻,苗期平均地温比露地玉米分别高 3.3 ℃,2.9 ℃,3.2 ℃,2.2 ℃和 2.1 ℃。在灌溉定额和畦长相同的条件下,春小麦整个生育期内,单宽流量为 1.3L/(m·s),在膜宽为 1.25 m的畦田内水流推进速度是露地畦灌的 1.64 倍,并且不会发生冲苗冲埂现象。在当地气候条件、土壤质地和作物栽培方式下,覆膜春小麦、玉米在全生育期内较当地露地节水灌溉系统的灌溉量(4 800m3/hm2和 9 000 m3/hm2)分别节水 2 000～2 400 m3/hm2和 4 000～4 500 m3/hm2,产量分别提高了 10 %～20 %和12 %～45 %。     

PIN管正偏注入的载流子在Ⅰ层中分布的研究

本文认为,Ⅰ层中不会有电子浓度和空穴浓度处处相等的电中性近似,这两种浓度都要随扩散距离的增加而衰减.本文用准中性条件来求解电子和空穴的连续性方程,导出这两种浓度都按扩散距离的负指数函数在Ⅰ层中分布.这样,其载流子一载流子散射效应可忽略不计,其俄歇复合较小,比用电中性近似求得的载流子分布的俄歇复合要小许多倍.