谷物干燥远红外复合陶瓷材料的研究

通过研究典型谷物的特征红外吸收谱段,遴选了以ZrO2和TiO2为主要原料的适于谷物干燥的远红外复合辐射材料,并测定了经过高温烧结而成的远红外复合陶瓷的辐射率范围为0.83~0.91,利用正交实验设计,以红外辐射率为指标进行了配方的优化设计,得到最佳配方方案(质量分数):ZrO2为80%、TiO2为15%、以MnO2、Fe2O3、CuO、MgO、石腊等组成的辅助原料为5%。     

离心泵叶轮三维造型

离心泵叶轮是离心泵的最主要的部件,它的设计与造型至关重要。通过利用读入数据和、pro/e,对离心泵叶轮进行三维造型,为下一步的分析计算打下基础。     

铰接式车辆静态转向阻力矩分析

从运动学观点建立铰接式车辆在静态转向情况下的力学模型，从动力学观点分析计算双桥驱动与单桥驱动的铰接车辆静态转向阻力矩及其特点，并用实验验证了理论分析的正确性。     

不同节水灌溉技术的节水机理试验研究

根据甘肃省特殊自然地理条件，对于喷灌、滴灌、渗灌及波涌灌几种方式下，小麦和玉米两种作物的灌溉节水机理进行了对比试验研究，分析了不同节水灌溉方式下这两种作物的节水性和生育动态。试验结果表明，在降雨、灌溉水量和前期土壤特性一定的情况下，在喷灌、滴灌、渗灌及波涌灌几种节水灌溉技术中，渗灌的节水性最好，依次为滴灌、喷灌、波涌灌。小麦和玉米在渗灌条件下产量比滴灌、喷灌和波涌灌都高，小麦渗灌产量比滴灌增加7．6％，比喷灌增加13．1％，比波涌灌增加22．4％。玉米渗灌产量比滴灌增加1．3％．比喷道增加6．3％。     

厌氧消化物对西瓜的促生抑病作用

本文研究了厌氧消化物（沼液和沼渣）对西瓜生长和西瓜枯萎病的影响。用沼液浸种，浓度为０．５％～５％时均可提高发芽率，以２％沼液与８小时浸泡时间为最佳组合，大于５％时降低发芽率。用沼渣与土壤混合，比例为１：５，１：７，１：１０时西瓜生长的各项指标均高于对照，以１：５为最佳；１：３时各项指标与对照相差不多；１：２时各项指标低于对照。沼渣与土壤混合后可抑制西瓜枯萎病，沼渣用量越大抑制作用越明显。当比例为１：７，１：５，１：３时，防效分别为１８％，５８％和８６％。病害发生后用沼液灌根可阻止西瓜枯萎病发展，但没有治疗作用。     

铰接式车辆横向一级倾翻轴的准确位置

通过对铰接式车辆横向一级失稳过程的推导，求得了横向一级倾翻轴的准确位置，它低于过去传统计算方法中的横向一级倾翻轴，本文的理论分析结论不仅可用于分析稳定性，还对设计时铰接点的布置、摆动轴的高低等总体布局具有参考价值。     

基于DEM模型的流域参数识别方法研究

探讨了利用数学高程模型识别流域分水线、确定坡面水流方向以及计算流域参数的方法。通过实验流域的数据验证 ,表明该法能正确计算流域的有关参数 ,自动勾绘流域分水线 ,确定坡面水流方向。从而为分布式水文物理模型的研制提供坚实的基础     

半导体消雷器在县级电力系统中的应用

取代传统避雷针的一种新型防雷装置——半导体消雷器已经问世。本文根据半导体消雷器的性能特征,以电力系统为应用领域,提出了将半导体消雷器组成联合保护网带的方法,总结了运用半导体消雷器的实际经验。     

安全监测技术在软基筑坝工程中的应用

在软土地基上修建50m以上的高坝．国内外尚没有先例；云南省务坪水库在软土地基上修建52m高坝的成功经验，为软基筑坝施工提供了科学的依据：安全监测技术的日益成熟和完善，为工程施工、运行提供了可靠的保障。以云南省务坪水库为例，阐述安全监测技术在软基筑坝上的应用和意义。     

华北土石山区模拟降雨下土壤溅蚀研究

采取野外模拟降雨试验,研究了降雨强度、降雨动能以及降雨历时对溅蚀量的影响规律,分析了溅蚀土粒的距离、方位的分布特征,以及溅蚀土粒的粒径组成规律。研究结果表明:雨滴击溅过程中,在不同强度的降雨作用下,下坡方向产生的溅蚀量最大,上坡方向产生的溅蚀量最小。溅蚀总搬运量与溅蚀净搬运量均与降雨强度呈正相关。溅蚀量与降雨强度呈指数函数关系,与降雨动能呈现线性函数关系。溅蚀率与降雨历时呈现指数函数关系。溅蚀土粒主要分布在0~10 cm,占溅蚀总搬运量的45.40%~57.75%,在50~60 cm内的溅蚀量所占比例不高于1.75%。溅蚀量与溅蚀距离呈负指数函数关系。溅蚀土粒径小于等于2 mm,溅蚀土粒中细砂粒和粗粉粒百分比与原状土壤较为接近,粗砂粒百分比远低于原状土壤,而粘粒百分比高于原状土壤,粉粒百分比低于原状土壤。溅蚀土粒中细砂粒(0.05~0.2 mm)最易于被溅蚀,而小粒径(小于0.002 mm)和大粒径(大于0.2 mm)土壤颗粒不易被溅蚀。当降雨强度足够大时,对于同种特征的土壤,溅蚀土粒存在稳定的粒径组成。当降雨强度保持不变时,溅蚀平均粒径随溅蚀距离的增加而变小。溅蚀距离在0~30 cm,溅蚀平均粒径的变化率较大;随溅蚀距离的不断增加,溅蚀平均粒径的变化率较小。