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311.
Ahn CH Triscone JM Archibald N Decroux M Hammond RH Geballe TH Fischer O Beasley MR 《Science (New York, N.Y.)》1995,269(5222):373-376
A ferroelectric field effect in epitaxial thin film SrCuO(2)/Pb(Zr(0.52)Ti(0.48))O(3) heterostructures was observed. A 3.5 percent change in the resistance of a 40 angstrom SrCuO(2) layer (a parent high-temperature superconducting compound) was measured when the polarization field of the Pb(Zr(0.52)Ti(0.48))O(3) layer was reversed by the application of a pulse of small voltage (<5 volts). This effect, both reversible and nonvolatile, is attributed to the electric field-induced charge at the interface of SrCuO(2) and Pb(Zr(0.52)Ti(0.48))O(3). This completely epitaxial thin film approach shows the possibility of making nonvolatile, low-voltage ferroelectric field effect devices for both applications and fundamental studies of field-induced doping in novel compounds like SrCuO(2). 相似文献
312.
Keny Vanlalhriatpuia Vanlalnghaka Chhakchhuak Satralkar K Moses SB Iyyer MS Kasture AJ Shivagaje Barnabas J Rajneesh Dilip S Joshi 《Journal of circadian rhythms》2007,5(1):1-11