金线莲增殖和生根培养条件的优化

为了优化金线莲(Anoectochilus formosanus Hayata)增殖和生根培养条件,将金线莲无菌苗的顶芽和带节茎段接种到不同种类和浓度的激素以及添加物组合的培养基中进行增殖和生根培养,以筛选出最适合金线莲增殖和生根的培养基.结果表明,金线莲最佳增殖培养基为MS+6-BA 3.0 mg/L+NAA 0.6 mg/L+玉米素(Zeatin,ZT)0.8 mg/L+香蕉泥100 g/L,顶芽和腋芽的增值倍数分别为3.82和3.13;生根培养基以MS+NAA0.5 mg/L+IBA 0.5 mg/L最好,生根率达80%.     

dsRNA引发的基因沉默

双链RNA(double-stranded RNA，dsRNA)导入细胞后引起细胞内特定的信使核糖核酸(messenger RNA，mRNAs)降解，从而导致基因沉默，并使生物体产生相应的功能缺陷型，这种由dsRNA介导的基因沉默称为RNA干涉(RNAi)，RNAi普遍存在于植物、动物、真菌中，它的发现改变了人们对细胞如何保护其基因组的理解，并发展了研究基因功能的新战略．对RNAi的发现历史、作用特点、作用机制以及应用前景进行了简述．     

逆境处理下水稻叶角质层蜡质积累及其与蜡质合成相关基因OsGL1表达的关系

植物角质层蜡质在抵抗各种生物和非生物胁迫中起着非常重要的作用。本试验以水稻(Oryza sativa L.)幼苗为材料, 分别以200 mmol L^-1 NaCl、12% PEG、1.0% H₂O₂、40℃高温和8℃低温为逆境, 研究叶角质层蜡质的积累情况以及其与水稻蜡质合成相关基因OsGL1表达的关系。扫描电镜观察以及叶角质层蜡质总量测定结果表明, 12% PEG、1.0% H₂O₂和8℃低温处理下水稻幼苗叶角质层蜡质的积累明显增加, 而200 mmol L^-1 NaCl和40℃高温处理下叶角质层蜡质覆盖量略有下降。RT-PCR分析显示, 逆境处理下水稻蜡质合成相关基因OsGL1的表达量变化与水稻幼苗叶角质层蜡质的积累存在相关性。