大樱桃砧木吉塞拉组培快繁技术研究

[目的]建立大樱桃砧木吉塞拉组培快繁技术体系。[方法]以吉塞拉5号的茎尖分生组织为外植体,从材料丛生芽的诱导、继代、生根以及炼苗与移栽方面研究其组培快繁技术。[结果]结果表明,适宜丛生芽诱导的培养基为MS＋6-BA 1.00 mg/L＋NAA 0.03mg/L＋KT 1.50 mg/L＋GA30.20 mg/L;试管苗在以1/2 MS＋IBA 1.50 mg/L的培养基上生根效果好;以1/2草粪＋1/2园土为移栽基质时,小苗成活率高。[结论]为大规模、快速生产吉塞拉组培苗提供理论和实践依据。     

优良大樱桃砧木吉塞拉5号组培快繁体系构建

为建立优良大樱桃砧木的组培快繁体系,研究以樱桃砧木吉塞拉5号为试验材料,研究了外植体不同取材时间、消毒方法、激素浓度配比、移栽基质等因素对其组培快繁的影响。结果表明,4~5月份是吉塞拉5号取材的最佳时间,污染率最低为8.83%,诱导率最高为87.6%;采用0.1%Hg Cl2外植体消毒8 min效果最好;吉塞拉5号初代培养适宜的培养基是MS+6-BA0.5 mg·L~(-1)+IBA0.2 mg·L~(-1),诱导率最高为83.1%,增值数最高为5.4,继代培养基为:6-BA0.6 mg·L~(-1)+IBA 0.3 mg·L~(-1)效果最好,增值数最高为7.3;在1/2MS+0.2mg·L~(-1)IBA+0.4 mg·L~(-1)IAA生根培养基上,试管苗生根率可达97.2%;试管苗移栽基质配比为蛭石∶基质=1∶2时,成活率最高达97.6%。这些研究结果为进一步建立大樱桃砧木离体快繁体系奠定了基础。     

樱桃砧木吉塞拉6号组培快繁技术研究

以樱桃砧木吉塞拉6号为试材,取一年生新梢进行组培快繁。结果表明:最佳初代培养基为MS+0.2 mg/L IBA+0.5 mg/L 6-BA;最佳增殖培养基为MS+0.1 mg/L IBA+0.3 mg/L 6-BA+0.05 mg/L TDZ,增殖系数达6.8;最佳生根培养基为1/2MS+0.5 mg/L IBA+0.5 mg/L NAA+0.5 g/L Ac(活性炭),生根率达74%。选取有5片以上有效叶的健壮试管苗移栽到1/2蛭石+1/2珍珠岩基质中,成活率达90%以上。     

甜樱桃砧木吉塞拉6号组织培养体系优化

以吉塞拉6号为试验材料,进行组织培养体系优化。结果表明:以75%乙醇灭菌30 s,0.1% HgCl₂灭菌10 min效果较优,MS+0.2 mg·L^-1 IBA+0.5 mg·L^-1 6-BA+30 g·L^-1蔗糖为初代培养基,MS+0.1 mg·L^-1 NAA+0.5 mg·L^-1 6-BA+30 g·L^-1蔗糖为最佳增殖培养基,1/2 MS+0.3 mg·L^-1 IBA+0.3 mg·L^-1 NAA+30 g·L^-1蔗糖为最佳生根培养基。其中,活性炭含量是影响生根的关键因素。以椰糠和草炭为介质,能增强根系韧性,提高移栽成活率。     

樱桃砧木吉塞拉5号组培苗生根的试验研究

以樱桃砧木吉塞拉5号组培苗为试材,研究了不同激素种类、不同光照条件,对组培苗生根率、根长、根粗、根数的影响.结果表明,光照对组培苗根原基形成的初期影响很大,弱光能显著提高生根率,激素组合处理诱导生根的效果明显好于单激素处理,试管苗生根以1/2MS+0.2 mg/l IBA+0.4 mg/l IAA为最佳配方.     

大樱桃砧木吉塞拉5号组培快繁技术研究

在超净工作台上,将吉塞拉5号无毒茎尖分化丛生苗移植到继代培养基中进行继代快繁,最佳培养基为MS＋6-BA 5 mg/L＋IBA 1 mg/L;然后,将分化出茎叶的小苗移植到生根培养基中进行生根培养,最佳生根培养基为MS＋IBA 2.0 mg/L,暗培养15 d;将带根的幼苗移栽到育苗盘中,最佳的基质为沙质基质,成活率超过95%;幼苗生长到15 cm左右移栽到大田中。     

大樱桃矮化砧木吉塞拉的组培繁育及问题研究

德国培育的“吉塞拉”系列樱桃砧木具有使樱桃结果早,抗根癌病及矮化树形等优点.就“吉塞拉”系列砧木在组培繁育过程中影响组培苗的成活及其长势的一系列因素展开研究,结果表明:组培苗的生长受培养基类型、生长调节剂配比、光照、温度、继代周期、基质的影响.试验发现组培苗最适宜的生长调节剂配比为6-BA 0.5 mg/L,IBA 0.1 mg/L,琼脂的硬度控制在8.5～9g/L,距离光源距离10～15 cm,温度控制在25℃±2℃,继代周期以4周左右为宜,在上述条件下组培苗均能保持很好的长势及增殖率.探索出樱桃砧木进瓶、组培快繁、出瓶、移栽等技术环节应该注意的问题.     

大樱桃吉塞拉5号砧木全光雾扦插的密度效应研究

大樱桃吉塞拉5号砧木全光雾扦插的密度效应研究结果表明,全光雾扦插的密度可影响插床环境温度、湿度的变化。在800～1 000株/m2范围内,密度越大,缓冲插床环境温度、湿度变化的功效越明显,吉塞拉5号扦插苗质量越好。     

甜樱桃砧木吉塞拉12号组培快繁技术体系探讨

以甜樱桃砧木吉塞拉12号当年生茎尖或茎段为试材,建立相应的组培快繁技术体系。以氯化汞、消毒灵、84消毒液、次氯酸钠溶液等不同消毒剂对外植体进行消毒处理;以MS(蔗糖30 g·L^-1,琼脂6.0 g·L^-1)为基本培养基,添加不同浓度的6-BA和IBA进行诱导培养和增殖培养;以1/2MS(蔗糖20 g·L^-1,琼脂6.0 g·L^-1)培养基添加IBA、IAA用于组培苗的生根培养。结果表明,0.1%氯化汞处理10 min的综合消毒效果较优,诱导率可达90%;MS+0.5 mg·L^-16-BA +0.1 mg·L^-1 IBA为最佳增殖培养基,增殖系数达4.1;1/2MS+0.5 mg·L^-1 IAA+0.9 mg·L^-1 IBA为最佳生根培养基,生根率达92.3%,平均生根数4.00条,平均根长4.62 cm。     

吉塞拉5号和中国樱桃作砧木对大樱桃树体生长及结果习性的影响

以吉塞拉5号和中国樱桃为砧木的大樱桃品种为试材,调查了不同砧木对大樱桃品种的早果性、树体生长量、嫁接亲和性、果实品质的影响。结果表明,吉塞拉5号作砧木的大樱桃树体矮化效果、早果性、丰产性优于中国樱桃。     

樱桃砧木吉赛拉组培快繁生产中玻璃化及污染分析

[目的]解决樱桃砧木吉赛拉组培快繁生产中玻璃化苗发生及污染问题.[方法]通过对培养基中激素、蔗糖、琼脂浓度的调节及培养温度的控制,防止玻璃化苗发生;通过培养基中加入杀菌剂,寻求解决组培苗污染.[结果]培养基中细胞分裂素6 - BA的浓度控制在1 mg/L以下、蔗糖浓度40 g/L、琼脂浓度6 g/L左右、培养温度24℃左右,可有效地预防玻璃化苗的发生;在培养基中加入500～1 000 mg/L多菌灵50;可湿性粉剂,可有效防止污染的发生.[结论]在樱桃砧木吉赛拉5号组培快繁中,细胞分裂素6 - BA浓度、蔗糖浓度、琼脂浓度、培养温度对试管苗产生玻璃苗都有一定的影响,其中,细胞分裂素6 - BA浓度、培养温度的影响更为明显.为了防止污染的发生,培养基中添加多菌灵50;可湿性粉剂效果较好.     

吉塞拉的组织培养技术研究

以大樱桃矮化砧吉塞拉(Gisela)为试材,进行了外植体消毒试验、不同培养时期培养基筛选试验和炼苗移栽试验,并利用植物组织培养技术建立了快繁再生系统。结果表明:吉塞拉组织培养不同培养阶段的适宜培养基分别为:分化培养基:MS+6-BA0.5 mg/L+NAA0.05 mg/L;继代培养基:MS+6-BA0.3 mg/L+NAA0.1 mg/L;生根培养基:1/2 MS+IBA0.3 mg/L。试管苗移栽前先在自然光环境下封闭锻炼然后开瓶炼苗3 d,产生的侧根数量多,移栽成活率高,其中自然光封闭锻炼12 d+开瓶锻炼3 d效果最好。     

甜樱桃砧木品种嫩茎段离体培养技术

以甜樱桃砧木品种"吉塞拉6号"春季萌发的半木质化新枝为外植体,经清洗消毒后切成1cm长茎段,接种于发生培养基上诱导萌发无菌芽,继而培育成无菌系。经过连续继代增殖和生根培养,培育成试管苗。将试管苗移入"泥炭+椰糠+珍珠岩"基质中进行炼苗,成活率达到了96%以上,培养二个月后移入塑料穴盘中,育成高质量的"穴盘苗"。研究表明发生培养基配方为1/2MS+3.0mg/L ZT+0.3mg/L IBA+2.0mg/L活性炭;增殖培养基配方为MS+1.0mg/L BA+0.1mg/L NAA为宜;生根培养基以1/2MS+0.3mg/L IBA。三个培养阶段的培养基配方及培养室光温调控、试管苗炼苗技术组成整个组织培养快繁技术体系,为甜樱桃嫁接育苗奠定了良好基础。     

甜樱桃设施促成栽培的品种及砧木选择

介绍了甜樱桃的优良品种、砧木选择和授粉树的配置原则,为设施促成栽培的建园选种提供了理论依据。     

不同IBA浓度对樱桃吉塞拉5号嫩枝扦插生根的影响

[目的]提高樱桃矮化砧木吉塞拉5号的繁殖系数,促进樱桃品种的推广。[方法]在高温高湿条件下,研究500、1000和1500mg/LIBA对吉塞拉5号扦插生根的影响。[结果]吉塞拉5号的生根率为88.6%～90.7%,单株生根均达5条以上,生根长度在3.5cm以上,均明显高于对照。[结论]在不同浓度生长调节剂处理的情况下,吉塞拉5号均具有较好的生根能力。     

甜樱桃砧木根际和非根际解磷细菌研究初报

在甜樱桃砧木落叶期,利用根际和非根际土壤测定分解卵磷脂和溶解磷酸三钙的细菌,发现根际土壤解磷细菌的数量高于非根际土壤,但无论是根际还是非根际土壤,有机磷细菌比无机磷细菌多。根际土壤解磷细菌种类较多,而非根际土壤解磷细菌种类较少。根际土壤的有机磷细菌主要为假单胞菌属,且2种砧木之间根际与非根际解磷细菌种类明显不同。     

樱桃矮化砧的组培快繁技术研究

以中华矮樱、G isela-5、G isela-7为供试材料,进行组培快繁技术研究,结果表明中华矮樱适宜的初代培养基为M S 6-BA 1.0 m g.L-1 NAA 0.1 m g.L-1,增殖培养基为M S 6-BA 1.0 m g.L-1 NAA 0.2 m g.L-1,生根培养基为1/2M S NAA 0.8 m g.L-1;G isela-5号适宜的初代培养基为M S 6-BA 0.8 m g.L-1 NAA 0.1 m g.L-1,增殖培养基为M S 6-BA 0.8 m g.L-1 NAA 0.2 m g.-L 1,生根培养基为1/2M S NAA 0.5 m g.-L 1;G isela-7适宜的初代培养基为M S 6-BA 0.8 m g.L-1 NAA 0.1 m g.L-1,增殖培养基为M S 6-BA 0.8 m g.L-1 NAA0.1 m g.-L 1,生根培养基为1/2M S NAA 0.5 m g.L-1。     

甜樱桃离体叶片再生的研究

利用甜樱桃的无菌苗叶片做外植体,进行离体叶片再生不定芽研究。结果表明:培养基中添加的激素浓度、种类和配比均影响不定芽再生,6-BA和NAA组合诱导甜樱桃离体叶片再生的活性较强;在MS 6-BA3mg/L NAA0.2mg/L GA30.5mg/L AgNO35.0-10.0mg/L培养基上,通过3次继代培养的不定梢的叶片,再生不定芽的频率达6.4%,确定良好的生根培养基为1/2MS IBA 0.7mg/L NAA0.2mg/L 蔗糖20g/L 琼脂7g/L,生根率可达75.1%。