退火对掺铟氧化锌薄膜结构及光学性能的影响

采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备掺铟氧化锌薄膜,研究不同退火温度对薄膜结构及发光性能的影响.结果表明,掺铟氧化锌薄膜仍为六角纤锌矿结构的ZnO相,在大于450 nm的波段薄膜样品的透射率都较高;随着退火温度的升高,透射率先增后减,600℃时达到最大;薄膜样品的光学带隙都小于纯ZnO的理论值(3.37 eV),且随退火温度的升高呈先减后增趋势;样品的结晶度与发光强度随着退火温度的升高而增强.     

退火对非晶态碲镉汞薄膜稳定态光电导的影响

利用射频磁控溅射方法,在宝石衬底上制备了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe)薄膜。对原生a-HgCdTe薄膜进行了不同退火时间和不同退火温度的热退火,在80～300K温度范围内,分别测量了原生和退火处理后的a-HgCdTe薄膜样品的稳定态光电导,研究了退火时间和退火温度对非晶态HgCdTe薄膜的稳定态光电导和激活能的影响。结果表明,原生和退火a-HgCdTe薄膜的稳定态光电导具有热激活特性;随着退火时间增加或退火温度升高,a-HgCdTe薄膜的晶化程度提高,导致光电导增大,光电导激活能降低。利用非晶-多晶转变机制讨论了实验结果。     

掺杂浓度对TeO_2-BaO-Eu_2O_3玻璃中Eu离子发光性质的影响

研究了TeO2-BaO-Eu2O3玻璃中Eu离子掺杂浓度对其发光性质的影响.分别用TU-1901 UV-VIS紫外可见光谱仪和F-2500荧光光谱仪测量样品的吸收光谱和发射光谱与激发光谱.结果表明:所有的样品在330 nm左右有一个很强的吸收带;Eu-O电荷迁移带的强度与Eu离子掺杂浓度密切相关;相对于基质吸收,Eu离子的本征吸收强度随掺杂离子浓度的提高而增强;在394 nm光的激发下,Eu离子发光主要位于594 nm和615nm左右,相对于5D0→7F1,5D0→7F2跃迁发射受Eu离子掺杂浓度的影响.     

离子束增强沉积掺杂氧化钒薄膜的最佳退火条件

用离子束增强沉积方法制备掺杂Ar和W的VO2多晶薄膜,明显改变了VO2薄膜的相变温度.试验发现,薄膜存在一个形成VO2结构的临界结晶温度,该温度随薄膜制备时沉积条件的不同而改变.选择适当的杂质和退火条件可以将VO2薄膜的相变温度降低到室温附近,获得较高室温电阻-温度系数的薄膜.     

不同薄膜材料上铝诱导多晶硅薄膜的研究

先在玻璃衬底上制备Mo、掺锡氧化铟(ITO)和掺铝氧化锌(AZO)导电电极材料,然后分别以普通玻璃、玻璃/Mo、玻璃/ITO和玻璃/AZO为衬底,沉积a-Si/SiO2/Al叠层膜,于450°C退火2h。XRD测试表明,4种衬底上非晶硅均可以被诱导生成多晶硅薄膜,因此Mo、ITO和AZO均可以作为铝诱导多晶硅器件的电极材料。     

TWIP 钢的孪晶及其对Hall-Petch关系的影响

采用背散射电子衍射、透射电子显微镜和拉伸实验等研究了退火温度对冷轧态Fe-25Mn-3Al-3Si TWIP钢微观组织及力学性能的影响，并分析了Hall-Petch关系.结果表明，完全再结晶组织由等轴晶和退火孪晶组成，再结晶晶粒平均尺寸随退火温度的升高单调增大，∑3晶界面积分数随退火温度升高而呈现波动增加，850 ℃退火1 h后∑3晶界面积分数达到44%.拉伸过程中强度与晶粒大小都服从Hall-Petch关系, 但孪晶界影响Hall-Petch关系斜率K(ε)的大小.TWIP钢K(ε)-ε关系不同于一般钢材常温下的K(ε)随ε增加单调上升，TWIP钢K(ε)随着ε的增加逐渐增大，然后出现平台，最后下降.     

溅射压强对柔性PET衬底ZnO薄膜性能的影响

利用直流磁控溅射法,在室温水冷柔性PET衬底上成功制备出了掺钛氧化锌(ZnO:Ti,TZO)透明导电薄膜。通过X射线衍射(XRD)研究了薄膜的结构,用扫描电镜(SEM)研究了薄膜的表面形貌,用四探针和紫外-可见分光光度计等仪器对薄膜的特性进行测试分析,研究了溅射压强对ZnO:Ti薄膜表面结构、形貌、力学、电学和光学性能的影响。结果表明,溅射压强对PET衬底上的TZO薄膜的性能有显著的影响,实验制备的ZnO:Ti薄膜为具有C轴择优取向的六角纤锌矿结构的多晶薄膜;当溅射压强从2Pa增加到4Pa时,薄膜的电阻率由10.87×10-4Ω.cm快速减小到4.72×10-4Ω.cm,随着溅射压强由4Pa继续增大到6Pa,薄膜的电阻率变化平缓,溅射压强为5Pa时薄膜的电阻率最小,为4.21×10-4Ω.cm;经计算得到6Pa时样品薄膜应力最小,为0.785 839GPa;所有样品都具有高于91%的可见光区平均透过率。     

铕掺杂二氧化钛纳米晶的制备和发光性质

利用溶胶-凝胶技术制备了TiO2纳米晶和掺杂Eu3+的TiO2纳米晶,测试了样品的X射线谱(XRD)和荧光光谱(PL),研究了不同煅烧温度下,TiO2:Eu3+的发光性质.Eu3+离子的掺入能抑制TiO2由锐钛矿相向金红石相的转变,464nm的激发波长对发射最有利,578nm处存在自吸收,随着退火温度增高,TiO2:Eu3+样品稀土发光强度下降.     

退火对Ni74Si10B16非晶合金电阻温度特性的影响

采用DC四端电阻测试法，测试了不同退火条件下Ni74Sil0B16非晶合金223～423K温区的电阻温度特性曲线，发现：淬态与退火态非晶合金试样的电阻均随温度近线性变化，并且，随着退火时间的延长或退火温度的升高，非晶合金电阻温度系数α上升，而室温电阻率ρ0下降，基于Nagel推广的液态金属Ziman理论，本文对此结果进行了分析和讨论。     

不同锡硫配比及热处理参数对SnxSy薄膜结构特性的影响

真空热蒸发法制备纳米Sn_xS_y薄膜。在玻璃衬底制备好的薄膜利用不同的热处理工艺条件对其进行热处理,可得到晶相结构性能良好的纳米Sn_xS_y多晶薄膜。研究发现不同锡硫摩尔配比的混合蒸发粉末对合成Sn_xS_y薄膜有较大的影响。当混合粉末中锡硫摩尔配比为1:0.8制备的薄膜,在氮气气氛下进行热处理,热处理条件为T=330℃,t=40 min时,可得到P型SnS薄膜,其微观结构良好、且沿(021)晶向择优生长,属正交晶系,晶粒尺寸约为62.17 nm。当混合粉末中锡硫摩尔配比为1:1.2制备的薄膜,热处理温度为430℃在氮气保护下热处理40 min,可获得Sn_2S_3薄膜,导电类型为N型,并且晶相结构良好,也属正交晶系,其晶粒尺寸约为60.37 nm。当混合粉末中锡硫摩尔配比为1:1.5时,同样热处理温度为430℃在氮气保护气氛中热处理40 min,可获得SnS_2薄膜,其结构性能良好,导电类型为N型,属六角晶系,其晶粒尺寸约77.07 nm。能谱分析给出,Sn_2S_3薄膜化学计量偏离标准化学计量比稍大,SnS,SnS_2薄膜化学计量与标准化学计量比比较接近。