碳化硅肖特基结的研制

近年来,Si器件的设计和制造工艺取得巨大进步,使Si器件特性已经接近材料理想极限。SiC材料的禁带宽度大、热导率高、临界电场高,SiC器件的高压、高温和抗辐射能力都远高于Si器件。本论文采用了Si器件的各种制成工艺技术,包括保护环、结终端扩展和台面结构,选用镍(Ni)与4H-SiC接触形成肖特基势垒,SiC肖特基二极管的基本结构与Si肖特基二极管相同,实验取得成功。