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| 高电源抑制比、低温飘带隙基准电压源的设计 | |
| 引用本文： | 高献坤,雷君召,丁赪璐,周西军,李遂亮,余泳昌.高电源抑制比、低温飘带隙基准电压源的设计[J].河南农业大学学报,2011,45(4). |
| 作者姓名： | 高献坤 雷君召 丁赪璐 周西军 李遂亮 余泳昌 |
| 作者单位： | 1. 河南农业大学机电工程学院,河南郑州,450002 2. 洛阳供电公司,河南洛阳,471000 3. 河南省广播电视发射台,河南郑州,450008 4. 广东交通职业技术学院,广东广州,510800 |
| 基金项目： | 河南省科技创新人才计划项目(104100510008) |
| 摘 要： | 采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种电源电压为3 V、基准输出为1.25 V的高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源电路.Cadence Spectre仿真结果表明,该基准源具有较好的温度特性,在-40~125℃温度范围内,温度系数为3.5×10-6.℃-1;电源电压在2.7~3.6 V范围内波动时,电源电压调整率为72μV.V-1;具有良好的电源电压抑制特性,最高抑制比可达89 dB,在10 kHz处可实现45 dB的电源电压抑制比. |
| 关 键 词： | 带隙基准电压源 温度系数 电源抑制比 |
Design of high PSRR low temperature coefficient band gap voltage reference |
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| GAO Xian-kun,LEI Jun-zhao,DING Cheng-lu,ZHOU Xi-jun,LI Sui-liang,YU Yong-chang.Design of high PSRR low temperature coefficient band gap voltage reference[J].Journal of Henan Agricultural University,2011,45(4). | |
| Authors: | GAO Xian-kun LEI Jun-zhao DING Cheng-lu ZHOU Xi-jun LI Sui-liang YU Yong-chang |
| Institution: | GAO Xian-kun1,LEI Jun-zhao2,DING Cheng-lu3,ZHOU Xi-jun4,LI Sui-liang1,YU Yong-chang1(1.College of Mechanical and Electrical Engineering,Henan Agricultural University,Zhengzhou 450002,China,2.Luoyang Power Supply Company,Luoyang 471000,3.Radio and Television Transmitters of Henan Province,Zhengzhou 450008,4.Guangdong Communication Polytechnic,Guangzhou 510800,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | band gap voltage reference temperature coefficient power supply rejection ratio |
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