| 双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器 |
| |
| 引用本文： | 杨红官,周少华,曾云,施毅.双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器[J].湖南农业大学学报(自然科学版),2005,32(6). |
| |
| 作者姓名： | 杨红官 周少华 曾云 施毅 |
| |
| 作者单位： | [1]湖南大学微电子研究所,湖南长沙410082 [2]湖南大学应用物理系,湖南长沙410082 [3]南京大学物理系,江苏南京210093 |
| |
| 基金项目： | 湖南大学科学基金资助项目（521101805）;湖南大学人才基金资助项目（521105008） |
| |
| 摘 要： | 设计了一种新型的存储器结构单元——锗／硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器．对存储器样品的C—V测量结果显示了这种结构的P沟道器件有着更加优异的存储性能．数值模拟表明了该器件的编程速度在微秒量级，而保留时间长达10年（约10^8S）．这种新型的存储器结构单元有效地解决了目前硅基纳米存储器存在的工作电压和长久存储之间的矛盾，为硅基纳米存储器的实用化拓宽了道路．
|
| 关 键 词： | 锗／硅 量子点阵列 纳米存储器 C—V测量 |
Ge/Si Double-Layer Quantum-Dots Floating-Gate Nano-Memory |
| |
| YANG Hong-guan,ZHOU Shao-hu,ZENG Yun,SHI Yi.Ge/Si Double-Layer Quantum-Dots Floating-Gate Nano-Memory[J].Journal of Hunan Agricultural University,2005,32(6). |
| |
| Authors: | YANG Hong-guan ZHOU Shao-hu ZENG Yun SHI Yi |
| |
| Institution: | 1. Institute of Microelectronics, Hunan Univ, Changsha,Hunan 410082, China; 2. Dept of Applied Physics, Hunan Univ, Changsha,Hunan 410082, China; 3 .Dept of Physics, Nanjing Univ, Nanjing,Jiangsu 210093, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Ge/Si quantum dot i nano-memoryl C-V curve |
|
| 点击此处可从《湖南农业大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《湖南农业大学学报(自然科学版)》下载免费的PDF全文 |
|
