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场发射FED器件MIM结构Ta-Ta2O5-Al薄膜的制备及性能
引用本文:杨兰,郭太良.场发射FED器件MIM结构Ta-Ta2O5-Al薄膜的制备及性能[J].厦门水产学院学报,2011(6):476-480.
作者姓名:杨兰  郭太良
作者单位:[1]集美大学理学院,福建厦门361021 [2]福州大学物理与信息工程学院,福建福州350108
基金项目:国家863计划平板显示重大专项(2008AA03A313); 教育部博导基金资助项目(20103514110007); 黄慧贞集美大学学科建设基金资助项目(JM201142)
摘    要:利用直流磁控溅射Ta膜和阳极氧化法制备Ta2O5薄膜,能谱分析(EDS)和X射线衍射仪(XRD)研究表明,在H3PO4电解液中添加少量的乙二醇制备的Ta2O5薄膜,呈非晶态,没有β-Ta2O5晶相出现.利用电击穿场强测试系统研究Ta-Ta2O5-Al复合薄膜制备FED器件(MIM结构)的绝缘性,证明采用磁控溅射和阳极氧化法成功制备了漏电流密度低、耐击穿场强高的Ta2O5薄膜.

关 键 词:阳极氧化  Ta2O5薄膜  MIM结构  非晶态
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