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高压静电场对番茄生长发育及叶霉病抗病性的影响
引用本文:郭 亚,李君健,张卿亚,任志刚,胡小平,张管曲. 高压静电场对番茄生长发育及叶霉病抗病性的影响[J]. 陕西农业科学, 2015, 0(5): 31-33
作者姓名:郭 亚  李君健  张卿亚  任志刚  胡小平  张管曲
作者单位:(1.西北农林科技大学 植物保护学院,陕西 杨凌 712100;2陇东学院,甘肃 庆阳 745000)
基金项目:中央高校基本科研业务费专项资金(QN2009034);西北农林科技大学大学生创新实验计划项目资助。
摘    要:番茄种子经高压静电场处理后,其发芽率、株高、茎粗、叶片数及抗病性等生物学指标均发生了明显的变化。场强为125 k V·m-1、处理时间为20 min的条件下处理番茄种子的效果最佳,其处理的种子发芽率比对照增加82.2%、茎粗增加20.0%、株高增加41.1%、复叶数增加15.2%、小叶数增加13.6%。场强为375k V·m-1、处理时间为10 min及场强为375 k V·m-1、处理时间为40 min条件下,番茄植株对叶霉病的抗病性得到了大幅提高,其病情指数均比对照降低了96.3%。

关 键 词:高压静电;番茄;生长发育;抗病性;叶霉病

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Abstract:
Keywords:
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