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| 氢原子在Si（111）—7＊7表面上吸附与脱附的模拟分析 | |
| 引用本文： | 赵立华,王祝盈.氢原子在Si（111）—7＊7表面上吸附与脱附的模拟分析[J].湖南农业大学学报(自然科学版),1994,21(4). |
| 作者姓名： | 赵立华 王祝盈 |
| 作者单位： | Department of Applied Physics，Hunan Univ |
| 摘 要： | 本文根据Ｓｉ（１１１）－７×７表面结构的ＤＡＳ模型，从微观上分析了氢原子在这种表面上的吸附与脱附行为，揭示了二级脱附的指数前因子与温度的关系，对不同的表面初始覆盖度，导出了新的脱附方程，在计算机上用这个方程进行模拟，得到了与实验结果一致的模拟脱附谱。 |
| 关 键 词： | 吸附，脱附，氢原子，计算机模拟 |
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