| Pt／PZT／Pt结构铁电场效应晶体管性能研究 |
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| 引用本文： | 杨富,蔡道林,南景宇,韩冰.Pt／PZT／Pt结构铁电场效应晶体管性能研究[J].河北北方学院学报(自然科学版),2009,25(1). |
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| 作者姓名： | 杨富 蔡道林 南景宇 韩冰 |
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| 作者单位： | 1. 河北北方学院理学院,河北,张家口,075000
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200000 |
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| 基金项目： | 河北省教育厅自然科学基金，张家口市科技局项目 |
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| 摘 要： | 目的 研究金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的p沟道铁电场效应晶体管的性能.方法 制备金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的p沟道铁电场效应晶体管并对其性能进行测量分析.结果 具有顺时针的Id-Vg滞回曲线的p沟道PZT铁电场效应晶体管能实现极化存储性能,并且在-5V到+5V的Vg电压下从Id-Vg滞回曲线中都得到了1V的存储窗口.存储窗口随-Vg的增大而增大.结论 MFMIS结构的p沟道PZT铁电场效应晶体管适合在大规模、高密度、高速度铁电存储器上使用.
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| 关 键 词： | 铁电场效应晶体管 存储窗口 |
Study on Characteristics of Ferroelectric Field Effect Transistor with Pt/PZT/Pt Structure |
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| YANG Fu,CAI Dao-lin,NAN Jing-yu,HAN Bing.Study on Characteristics of Ferroelectric Field Effect Transistor with Pt/PZT/Pt Structure[J].Journa of Hebei North University:Natural Science Edition,2009,25(1). |
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| Authors: | YANG Fu CAI Dao-lin NAN Jing-yu HAN Bing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MFMIS |
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