基于光电倍增管的核电子学前端系统噪声研究 |
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引用本文: | 吴军龙,刘成,刘成安,易发成,席发元.基于光电倍增管的核电子学前端系统噪声研究[J].长江大学学报,2015(7):17-20. |
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作者姓名: | 吴军龙 刘成 刘成安 易发成 席发元 |
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作者单位: | 西南科技大学核废物与环境安全国防重点学科实验室,四川绵阳,621010 |
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基金项目: | 国家科技重大专项,湖北省自然科学基金 |
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摘 要: | 核电子学前端噪声是设计核电子学前端必须考虑的重要问题,如何确定核电子学前端噪声界限,提高信噪比是前端设计必须关注的问题。从核电子学前端系统(探测器(光电倍增管)、前置放大器和滤波成形电路)入手,通过2个不等式建立了核电子学前端系统噪声上界、下界问题和核电子学前端噪声模型,同时给出核电子学前端系统噪声上界。研究表明,电荷灵敏前置放大器噪声下界与频带无关;核电子学前端系统噪声上界与给定条件下信号频带宽度成正比。
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关 键 词: | 核电子学前端 探测器(光电倍增管) 前置放大器 滤波成形电路 噪声上界 噪声下界 |
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